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高級中學課程物理學科中心 委辦高中物理教師現代科技進階研習會(中區)2007 Jan. 15th---17th 半導體基礎理論簡介 ---- Kittel 固態物理 正晶格(direct lattice)---倒置晶格(reciprocal lattice) Bragg Law與X光繞射 X光繞射與倒置晶格及Brillouin zone ㄧ維晶格的x光繞射 ?電子能隙 Nearly free electron model 與 Bloch Theorem 週期位能屏障—在正晶格的計算 自由電子的情形(沒有晶格位能時) 週期位能屏障—在倒置晶格的計算-1 週期位能屏障—在倒置晶格的計算-2 ㄧ維直線晶格的能帶圖示 絕緣體與導體 導體、半導體、絕緣體 以”自由電子”看待晶體中電子的行為 晶體中電子的自由電子行為--量子力學推導 晶體中電子能量的分布--Fermi-Dirac Distribution 晶體中電子能量的分布—Fermi energy Density of states 半導體分類 比較矽與鍺的intrinsic conductivity 矽與鍺的間接能隙energy gap 各種半導體的能隙 Ge的能帶計算結果 Intrinsic 矽晶體內自由電子與電洞 電子與電洞--1 電子與電洞--2 等效質量 等效質量的物理詮釋 等效質量的測量 導帶電子與價帶電洞的密度(n、p)--1 導帶電子與價帶電洞的密度(n、p)--2 導帶電子與價帶電洞的mobility Extrinsic 矽晶體內自由電子與電洞………摻雜比例 百萬分之一 雜質的游離能 雜質的熱激發游離 450 30000 InAs 15 100 SiC 300 8000 GaAs 1800 3600 Ge 480 1350 矽Si 1200 1800 鑽石 電洞mobility (cm2/Vsec) 電子mobility (cm2/Vsec) 室溫下 晶體 電洞 mobility 電子mobility。 能隙 Eg 越小 ? 導帯電子的等效質量越小 ? 電子mobility 越大。 N型半導體 摻雜五價donor(施體)原子 ,如砷As,銻Sb,… P型半導體 摻雜三價acceptor(受體)原子 ,如硼B,鎵Ga,… 氫原子模型的估計 (考慮基態的Ed) 9.6 39 Ga 9.6 39 Sb 12.7 49 Al 12.7 49 As 12 45 B 12 45 P Ge Si 雜質 Ge Si 雜質 Acceptor游離能 (meV) Donor游離能 (meV) Ed 、Ea 實驗觀測值 室溫下 Ed (或 Ea ) ? kBT，所以，室溫下的游離機率就不低。 經由donor雜質游離產生導帯電子的所需能量 價帶電子直接激發至導帯所需能量。 但若溫度太低，也無法經雜質的熱游離激發而產生導電電子。 但當溫度上升至某個 臨界溫度以上時，就會立即產生導電電子。 實驗結果顯示，溫度超過～200K會引致高純度Ge 內雜質的熱游離激發。 實驗上intrinsic semiconductor Ge 的P(磷)雜質含量可降至～ ppb/c.c.。 Kittel Fig. 8-21 低溫(kBT Ed)，且只有donor、 無acceptor時，導電電子密度 n 為 估計臨界溫度： 由 kBT ～Ed ～10 meV 及kBTroom ～1/40(eV) 可知 p-n結 (p-n junction 二極體) 二極體(電流電壓)整流特性 二極體光電特性 圖片來自 中興物理 孫允武教授 半導體的表面能級 圖片編輯自prof. H. F?ll p型、n型半導體的接觸 圖片編輯自prof. H. F?ll pn半導體接觸面的電流移動--1 圖片編輯自prof. H. F?ll 未加偏壓 沒有電流 * 半導體：（一）原理 李英德老師（光電系） （二）製程 劉堂傑主任（積體電路技術，電子系） （三）應用 鄭經華老師（積體電路應用，電子系） 超導體： 施仁斌老師（電子系） 光電科技：（一）基礎光電 陳敬恒老師（光電系） （二）光電半導體與光電元件 劉榮平老師（光電系） （三）光電顯示器 魏明達老師（光電系） （四）光纖通訊及其他光電產業 盧聖華老師（光電系） 奈米科技：