gan基niau肖特基接触模拟和实验研究-simulation and experimental study of gan - based niau schottky contact.docx

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2018-06-04 发布于上海
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gan基niau肖特基接触模拟和实验研究-simulation and experimental study of gan - based niau schottky contact

ABSTRACTNi/Au-n-GaN and the Ni/Au-AlGaN/GaN in different temperatures. We also explain the meaning of the tested C-V curves, and according to this curves, we calculate the distributing of the 2DEG.Key words: GaN, Schottky contact, barrier high, ideal factor目录目录第一章绪论.........................................................11.1 GaN 基材料的简介11.2 GaN 基肖特基接触研究进展21.2.1 GaN 基肖特基接触的研究现状21.2.2 GaN 肖特基接触在光电探测器领域的应用31.3 本论文主要内容及其研究意义 ....................................... 3第二章金属半导体接触的基本理论......................................52.1 金属和半导体接触的基本理论 ....................................... 52.1.1 金属和半导体的功函数...................................................................................... 52.1.2 接触电势差.......................................................................................................... 62.1.3 表面态对接触势垒的影响.................................................................................. 62.2 金属-半导体接触分类 .............................................. 72.2.1 欧姆接触.............................................................................................................. 72.2.2 肖特基接触.......................................................................................................... 82.3 肖特基接触的势垒 ................................................. 82.4 本章小结 ........................................................ 11第三章 Ni/Au-GaN 肖特基接触的仿真研究123.1 仿真的目的和意义 ................................................ 123.2 仿真采用的器件结构以及仿真理论模型的选择 ........................ 123.2.1 仿真采用的器件结构........................................................................................ 123.3 仿真的结果及其分析： ........................................... 143.3.1 不同掺杂浓度的 GaN 体材料肖特基接触特性仿真结果分析143.3.2 同一掺杂浓度不同温度 GaN 肖特基器件 I-V 特性仿真结果分析15目录3.3.3 同一掺杂浓度不同界面层厚度 GaN 肖特基器件 I-V 特性仿真结果分析... 163.4 针对仿真数据提出优化肖特基器件的性能的方法 ...................... 173.5 本章小结 ........................................................ 17 第四章 Ni/Au-GaN 肖特基接触实验研究..................................194.1 器件结构和工艺过程 ...............................