几种酚羟类药物份子印迹电化学传感器的制备和性能研究.pdfVIP

lIIIIIMllllllI；111111liltIIIIIIlllUI Y2859742 摘要 分子印迹技术(Molecular Imprinting 定选择性的技术。分子印迹聚合物有预定性、特异识别性和实用性以及耐酸、碱、稳定 性好、耐高温等优点，因此在膜分离、固相萃取、传感技术等领域都有广泛的应用。分 子印迹聚合膜不仅有膜的性能还有聚合物的优点，因此分子印迹聚合膜的研究成为热 点。但传统分子印迹聚合膜的制法加入了交联剂，膜的传质速率较慢、模板洗脱困难、 膜厚度不易控制等缺点，严重阻碍了分子印迹技术发展。而电聚合法制备分子印迹聚合 膜制备简单、膜厚可控、膜与电极附着力强、重现性好等优点，大大提高了工作效率。 本文在对分子印迹技术和分子印迹电化学传感器概述的基础上。通过电聚合的方 法，以铅笔芯石墨电极作基质，以吡咯和邻苯二胺为复合功能单体，分别以水杨酸、对 羟基苯甲酸、抗坏血酸为目标分子，形成分子印迹共聚膜，构建了几种分子印迹电化学 传感器。对聚合膜电化学性能进行了表征，探讨了传感器各方面性能。具体工作如下： (1)以水杨酸为目标分子，吡咯和邻苯二胺为复合单体，用循环伏安法在石墨电 极表面制备水杨酸分子印迹电化学传感器。通过方波伏安法和扫描电镜对分子印迹共聚 膜的电化学性质和表面形貌进行表征。对制备条件(洗脱时间、扫描圈数、pH值、模 板单体比列)进行了优化。在最佳条件下，通过方波伏安法对传感器的性能进行了测定， 结果显示在浓度为1×10。o_1×10。3mol／L时，峰电流和水杨酸浓度的负对数成线性关 系，最低检测限1．101×10。1 际样品的检测时回收率达到95．58％一96．13％，相对误差为3．43％。 (2)以羟基苯甲酸为目标分子，吡咯和邻苯二胺为复合功能单体，用循环伏安法 在石墨电极表面制备对羟基苯甲酸分子印迹电化学传感器。以铁氰化钾为电化学探针， 通过方波伏安法对分子印迹共聚膜的电化学性质进行研究，用SEM对印迹膜表面形貌 进行表征。探讨了扫描圈数、制备液的pH值、模板单体比例对传感器性能影响。在最 优条件下，探索传感器的性能，结果表明在1×10一一5×10。4mol／L范围内，峰电流和对 相对误差为3．43％。实验表明该传感器抗干扰能力强，使用寿命为长达35天。 (3)以抗坏血酸为目标分子，吡咯和邻苯二胺为复合单体，用循环伏安法在石墨 电极表面构建抗坏血酸分子印迹电化学传感器。以铁氰化钾为电化学分子探针，通过方 波伏安法对分子印迹共聚膜的电化学性质进行研究，用SEM对共聚膜表面形貌进行表 征。研究了制备液的pH值、扫描圈数、模板单体比例以及洗脱液的选择和洗脱时间对 mol 传感器性能影响。在最优条件下，探索传感器性能，结果表明在1×10-6—1×10-3 ／L范围内，峰电流和抗坏血酸浓度的负对数呈良好的线性，最低检测限为2．63×10。7 95．71％一105．98％，相对误差为5．24％。 关键词：分子印迹，电化学传感器，共聚膜，电聚合，水杨酸，对羟基苯甲酸，抗坏血 酸 ABSTRACT artificial and anovel for Molecular designedsynthesizedtechnique Technology(MIT)is Im砸n血g with thecharacteristicsof targettemplatepredeterminedselectivity．With in asfilm