多界面串叠式化合物半导体 太阳能薄膜电池的发展.docVIP

多界面串叠式化合物半导体　太阳能薄膜电池的发展 全球科技与经济活动快速发展，致使人类能源需求激增，加上大陆、印度和其它国家对化石燃料的需求，未来能源不足现象已浮现。目前，专家提出许多方案，试图降低化石燃料使用及排放，也包含制定相关的能源政策，但这些方案似乎仍然有限，因此，不得不转而研究开发绿色能源… 绿色能源来源相当多，若改用取之不尽、用之不竭的太阳能，自然成为最佳选择，问题是，太阳能发电先天缺点就是转换效率不彰，发电成本过高，且需要广大面积才能采集到所需能量，如何有效克服这些问题。 利用光电效率制作太阳能电池，近期使用的材料是以「矽」为主的半导体芯片，主要因为矽是地球中含量第2丰富的元素，且太阳光中部分光谱正好满足它的能量需求。不过矽是间接能带隙材料，并非理想的太阳能电池材料，利用矽制作太阳能电池有许多隐忧。 矽的制程与耗能的问题？是否真洁净？是否高节能？中国科学院院士简水生曾指出，目前生产多晶矽的企业，一般都采改良西门子法，使用该方法，1千瓦的太阳能电池约需10公斤的多晶矽，需要消耗电能5,800~6,000度，所使用的冶金级工业矽，需要消耗电能1,200~2,000度，接续生产矽棒、矽锭，需要消耗电能800~1,200度，总计耗电能7,800~9,200度，耗电量十分巨大。 如以上述耗能估计，生产每1,000瓦矽太阳能电池，耗电量将达到7.8-9.2度(千瓦小时)，但1千瓦矽太阳能电池，在20年的寿命里最多仅能产生8~10度的电；对地球而言，是否是真洁净或高节能？ 矽产能缺料及材料成本也是1个问题，目前6寸多晶矽料源短缺，价格持续走扬，现货市场已飙到每片逼近11美元甚至更高；太阳能业者认为，这样的价位挑战成本边缘，购买后不见得会赚钱，而且，下游扩产速度仍比上游来得大，加上部分料源合约供料不稳，导致合约签了，预付款也付了，但交货却比承诺少很多。世界的多晶矽严重短缺，过去5年來其价格从每千克20美元上升到逼近500美元。大陆公司急于填补此缺口。由于有大量风险投资，加上急于寻找干净的替代能源，政府所提供条件优渥，20多家公司开始在大陆兴建生产厂。这些新厂总生产能力估计有8~10万吨，几乎是目前全球产量的2倍多。由于其副产物「四氯化矽」对环境有害，发达国家的多晶矽公司，要回收并循环使用这些化合物，但投资成本巨大，多裹足不前。以多晶矽投产为例，西门子反应器只有约25%的转多晶化效率，且生产1kg矽会有约20kg四氯化矽产出，如经由高温转化成氢化回收三氯矽甲烷，其用电及费用投资很高，不符节能及成本目标，这是值得深思的问题，且三氯矽甲烷的易燃性及腐蚀性问题亦得留意。太阳能业者表示，以某日系多晶矽厂资料來看，产出1,250吨纯多晶矽，就会附带产出2.75万吨四氯化矽，副产品处理问题，将是新进多晶矽业者一大挑战。目前大陸厂多數采西门子法，预估副产品问题将随著各家厂产能开出而日益明显，毕竟四氯化矽为有毒物质。除洛阳中硅外，四川峨眉、新光矽业…等也都有产出，预估都是2008 年步入量产，副产品处理问题也将跟著浮现。Air Liquid宣布矽甲烷价格调涨20%问题，在未来产能持续扩充下，势必会影响矽薄膜成本。目前，已有相关业者研发各种用III-V族元素制造的太阳能电池，将原本以矽元素发展的太阳能电池转换效率不佳问题加以解决，而且利用一些科技，将制造成本彻底压低，并逐渐应用在民生工业上。要提高太阳能电池的发电效率，有几种方式，除用高转换效率的III-V族材料制作太阳能电池，亦可在太阳能模块上加上聚光设备，增强光照强度、提高发电效率；另外，设计1个追日系统，让太阳能电池与太阳光入射方向尽量垂直，增加照光强度。此外，亦可将太阳能电池做成「多界面串叠式薄膜」，因为太阳能的波长范围非常广，单一界面的太阳能电池仅能吸收某一段波长的光线，若能将多种吸收不同波长光线的薄膜堆叠，就能充分利用太阳光，提高转换效率。III-V族化合物薄膜太阳能电池发展核心要解决上述问题，必须发展3大核心技术，且得具备量产实力！瀚昱能源科技为台湾具备3大核心量产化合物GaAs薄膜太阳能电池业者，技术团队来自于早期工研院次微米中心，并与日本三菱合作化合物半导体多年，并成为其供应链客户Hayashi重要代工伙伴。瀚昱去年6月才成立，在化合物半导体有丰富的量产经验，不同一般同业在量产后才开始找客户，而是承接日本既有代工订单，已取得有利起跑点。化合物半导体的研发与制程III-V族化合物半导体制程技术，足以应用在太阳能电池、高速行动、无线通讯、微波通讯…等相关光电及LED运用产业。由于III-V族化合物半导体，具比矽更快速的电子迁移 (Electron Mobility)特性，及更高效率的光特性，过去多运用于卫星工业、太空工业、军事工业上，但在成本及制程等