逻辑模拟电路模拟时序分析的作用和必要性器件模拟工艺模拟436.pptVIP

gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; 逻辑模拟 电路模拟 时序分析的作用和必要性 器件模拟 工艺模拟 Ch7 * fhfh 模块化设计 分层分级设计 全定制 标准单元库 母片 可测性设计 CH6 * fhfh 1 集成电路设计的特点（与分立元件电路的区别） 2 集成电路设计信息描述的方法 3 集成电路的基本设计流程 4 自顶向下（top—down）——分层分级设计 由底向上——人工版图设计 5 集成电路的设计规则是什么，有哪两种方法，对比其特点。 6 全定制设计方法 设计反相器的棍形图、掩模版图 设计二输入与非门、或非门的棍形图 * fhfh 7 SC法、BLL法、GA法和可编程逻辑电路设计法的特点以及区别 8 门阵列法（GA法） 掌握CMOS门阵列六单元管的结构并设计三输入与非门、或非门等基本电路 * fhfh V DD V ss * fhfh * fhfh 共价键 离子键 金属键 分子键 Ch5 * fhfh 晶格的种类 缺陷的种类 点缺陷的种类 衬底材料的发展 * fhfh 化学气相淀积CVD 外延 正胶与负胶 钻蚀 替位式扩散和间隙式扩散 退火 Ch4 * fhfh 1 比较常见的三种光刻方法的优缺点及适用范围。 2 集成电路制造工艺中制备二氧化硅最常用的两类方法是什么，分别适用于制备那种类型（六种）的二氧化硅层。 3 MOS集成电路标准场氧化隔离、局域氧化隔离和开槽回填隔离工艺。 4 CVD的常用方法有哪些？CVD方法能制备哪些薄膜 5 MOS集成电路的工艺流程 6比较三种常用的干法刻蚀 * fhfh gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk; gjhhj jklk;