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基于TCAD软件纳米MOS器件特性分析 　　摘要：该文借助计算机仿真软件以32 nm NMOS器件为例，研究了短沟道器件的特性。通过采用迁移率、碰撞离化、载流子复合等物理模型在模拟软件中建立了合适的器件模型。在此基础上对比分析了0.18μm长沟与32 nm短沟NMOS器件的输入、输出以及击穿特性。此外，讨论了不同栅氧厚度对纳米器件输入特性和击穿特性的影响。较薄的栅氧设计能显著降低器件的功耗，提升集成电路与系统的性能，同时对可靠性造成一定影响。 　　关键词：集成电路；TCAD；纳米MOS器件 　　中图分类号：TP311文献标识码：A文章编号：1009-3044(2012)22-5438-04 　　Characteristics of Nano-MOSFETs by TCAD 　　ZHOU Ming-hui 　　(Xi’an Heavy Machinery Research Institute, Xi’an 710032, China) 　　Abstract：This paper discusses the properties of short-channel devices based on 32nm NMOS device by TCAD software. Appropriate device model is built in the simulator by utilizing physical models of carrier mobility, impact ionization and recombination. Input, output and breakdown characteristics for 0.18μm long-channel and 32 nm short-channel NMOS devices are analyzed respectively. Furthermore, the effects of the oxide thickness on input and breakdown characteristics are elaborated. Thin gate-oxide design contributes to decrease the power dissipation and improve the performances of the ICs and systems, but somewhat has negative effects on reliability. 　　Key words：integrated circuit; TCAD; Nano MOSFETs 　　近几十年来，集成电路一直遵循摩尔定律不断发展。计算机硬件的设计通过缩小器件尺寸，不断提高电路与系统的集成度，进而提升产品性能，MOS管的栅长从几十微米一直缩小到如今的几十纳米尺度。目前主流CPU的工艺尺寸为32nm，并向28节点迈进。随着MOS器件进入纳米时代，等比例缩小带来的诸多物理、工艺方面的限制极大地影响着MOS器件的性能，进而制约了集成电路与系统的性能。因此，研究纳米尺度的MOS器件面临的技术难题具有现实意义。 　　随着MOS管栅长减小，沟道中由栅压控制的电荷变少，导致器件栅控能力下降低，表现为器件阈值电压向负方向移动等一系列短沟道效应(SCE)[1]。沟道源漏的耗尽区深入到栅的下方，使PN结势垒高度降低。源区载流子不受栅压的控制进入漏区，当??端部分电力线可以直接到达源区，造成源区电子发射，导致源-衬势垒降低称为漏致势垒降低(DIBL)[2]。另一方面，随着特征尺寸不断地减小，沟道的横向电场不断增大，部分载流子注入栅氧化层造成损伤，或与硅原子碰撞形成雪崩热载流子造成沟道电流成倍增长，称之为热载流子效应[3]。这些负面效应都对器件特性产生不利影响。一般来说，短沟道效应会受到栅氧化层厚度，源漏掺杂浓度及结深，衬底浓度等多个因素的共同影响。如何抑制、降低短沟道效应对器件特性的影响是纳米器件的一个重要的研究课题。 　　计算机辅助设计TCAD(Technology Computer Aided Design)是借助于计算机迅速准确完成设计任务，主要以半导体工艺以及器件模拟工具作为平台，世界上商用的TCAD工具主要有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司(现被Synopsys公司收购)的Dios和Dessis。由于计算机运算速度快，存储量大等特点，适合复杂模型的数值运算，TCAD与电子设计自动化EDA(Electronic Design Automation)一起成为超大规模集成电路与器件设计的必然趋势