微传感器技术013课件34.ppt

2007 测试 测试包括压力敏感部分特性测试和自检测部分的特性测试 Self-test Output with 10V 0 5 10 15 20 25 30 times（S） 1.5 1.2 0.9 0.6 0.3 0 Output changes (mV） 5.8% FS 2007 测试 2007 自检测压力传感器 自检测压力传感器的类型 自检测传感器的另一层含义是为解决传感器可靠性等问题，而使传感器具有附加的自检测功能。一种方法是在系统中建立传感器冗余，既可以简单地增加同种传感器个数，也可以在同一传感器中采用多种敏感原理。另一种办法是在传感器中引入自检测机制，即采用内建主动监测系统。 2007 内建主动监测系统的物理意义是，除传感器自身以外，在器件内集成一个可独立驱动的执行器（如静电、电磁、热气、双金属片驱动器等）。此驱动器能够以某种固定的方式产生模拟或其它等效激励信号，并将此信号作用于传感器上。利用传感器对该已知激励信号的响应实现对传感器性能的检测。此方法从应用角度可划分为两种，一种是执行器对传感器产生一个简单的脉冲激励信号，以此来检测传感器能否正常工作，即自检测功能；另一种是执行器对传感器产生一定量精确的信号作用，并定量地检测传感器的响应信号，即自标定功能。显然后者功能更强，但结构复杂、实现困难。 2007 自检测压力传感器的几种类型 静电驱动压力自检测传感器 压敏电阻 硅杯 玻璃 下极板 上极板 P 2007 电容式压力传感器的原理示意图 2007 自检测压力传感器的两种类型 原理：压力敏感膜片充当下电极板，压力腔上部淀积金属形成上极板，在电压作用下两极板间产生静电力，使压力敏感膜片变形，引起压阻上应力变化，从而使电桥输出电压变化，以此来检测压力传感器的工作是否正常 2007 自检测压力传感器的两种类型 热气驱动自检测压力传感器 ： 硅 加热电阻 玻璃 2007 原理：在绝压腔内封入一定量的气体，当密封腔内的气体被加热，气体发生膨胀，压力敏感膜就会因腔内压力变化而产生形变，引起压阻上应力变化，从而使电桥输出电压变化 2007 单晶硅压力传感器利用压阻效应的应用可归纳为两类：①只利用纵向压阻效应；②同时利用纵向压阻效应和横向压阻效应。应变电阻应放置在膜片受力后应变大的部位，通过有限元分析可知单晶硅压力敏感膜片的最大应力区分别在膜片的中心（拉伸应变）和边缘（压缩应变）。在传感器的设计过程中，应根据实际的工艺条件选择合适的电阻布置方式。 多晶硅压阻的纵向压阻效应远大于横向压阻效应，只能利用纵向压阻系数，所以电阻条布置有所不同。 2007 压力传感器应变电阻的排布方式 压力传感器的应变电阻在压力敏感膜片上的可能排布方式 采用较好的排布方式来排列压阻以获得较大的输出信号 2007 2007 2007 2007 2007 5．压阻式集成压力传感器 利用半导体集成电路平面工艺制造技术实现压阻全桥力敏电阻与弹性膜片的一体化。在此基础上希望把更多的外围相关电路与压力传感器集成在同一芯片上，以提高传感器的性能。 1）带温度补偿的集成压力传感器： p80-p81 2）带放大器的单片集成压力传感器： p81-p82 2007 2007 2007 恒流工作接口电路? 2007 2007 2007 2007 2007 7．高温压力传感器 多晶硅压力传感器： p100 SOI高温压力传感器： p100 SiC(碳化硅)高温压力传感器 1）3C-SiC薄膜高温压力传感器（注：3C-闪锌矿结构） 2）多晶SiC高温压力传感器 3）6H-SiC高温压力传感器 SOS蓝宝石压力传感器 石英压力传感器 陶瓷厚膜高温压力传感器 光纤高温压力传感器 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 SP100?系列传感器的系统框图 2007 SP300压力传感器是Sensonor最先进的压力传感器的代表。SP300是由微机械传感器芯片和多功能ASIC电路构成，封装在低成本塑模封装（SOIC）中。该传感器已被证明在恶劣的环境下使用寿命大于10年. r [110] [001] [110] 0.635r 图 晶向式[1 1 0]的硅膜片传感元件 下面结合图讨论在压力作用下电阻相对变化的情况。在法线为[1 1 0]晶向的N型硅膜片上，沿[1 1 0]晶向，在0.635r半径的内外各扩散两个P型硅电阻。由于[1 1 0]晶向的横向为[0 0 1]，根据其晶向，可计算出πl及πt为 故每个电阻的相对变化量为 由于在0.635r半径之内σr为正值，在0.635r