扩散的过程有很多限制.docVIP

扩散的过程有很多限制。扩散只能在wafer表面进行，限制了能制造的几何图案。杂质扩散不均衡，所以最终的diffusion没有稳定的掺杂特性。接下来的高温过程继续drive先前沉积的杂质，所以在这个过程中太早形成的结在后面的步骤里被driven的更深了。杂质扩散到氧化层窗口边缘以下，扩大了diffusion的图案。由于隔离机制，diffusion和氧化互相作用，结果形成耗尽区或加强表面掺杂程度。Diffusion之间甚至相互作用，因为一种掺杂的存在会影响其他的扩散速度。这些和其他复杂的因素使扩散过程远比它起初看起来的复杂的多。 扩散只能产生相对浅的结。实际的drive时间和温度把结深度限制在大约15微米。大多数diffusion还要浅的多。因为diffusion通常用oxide mask来制作图案，diffusion通常像图2.18中的截面图。杂质往各个方向扩散的速度基本一样。结在氧化层窗口下横向移动了大约结深度80％的距离。（13 参见 D.P. Kennedy and R. R. O’Brien, “Analysis of the Impurity Atom Distribution Near the Diffusion Mask for a Planar p-n Junction,” IBM J.of Resarch and Development, Vol. 9, 1965,