复旦微电子模拟电第4章+集成放大器.pptVIP

2003/6 模拟电子学基础 第4章集成放大器 集成电路 集成电路工艺简介 集成电路的特点 集成电路 将晶体管、场效应管、二极管以及电阻、电容等元件通过一定的制造工艺制作在同一块半导体基片上的器件 基本材料是单晶硅，可以是P型或N型 通常在一块硅晶片上同时制造几百到几千个集成电路芯片（管芯），每个管芯经过初测后用划片机划开，将初测合格的管芯封装后，再经过老化、测试等工序，就成为集成电路产品。 集成电路工艺简介 基本工艺：氧化、掩模、光刻、扩散、外延、淀积、蒸发等 一个完整的制造过程包含一系列掩模、光刻和扩散过程 BJT晶体管的结构 CMOS场效应管的结构 互补型金属－氧化物－半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 集成电路的特点 良好的对称性和较大的绝对误差 元件之间的性能比较一致 环境温度一致，同类器件的温度一致性很好 元件的绝对误差比分立元件电路大许多 在集成电路设计中，尽量利用元件的对称性进行设计，例如使用电流源、差分放大器等 大量采用有源器件 制造电阻、电容和电感需要占据一定的面积，且在一般情况下数值越大占用的面积越大，同时误差较大，质量不高 采用晶体管等有源器件替代电阻电容等无源器件 电流源与有源负载 基本电流源电路 电流源电路的改进 有源负载放大电路 基本电流源电路 由一个电阻和两个晶体管组成，图中Iref是参考电流，IO是输出电流。 多路FET电流源 FET的漏极电流与栅极宽长比成正比，改变栅极宽长比获得不同比例的输出电流 多路BJT电流源 BJT反向饱和电流正比于发射区面积，改变发射区面积获得不同比例的输出电流 电流源电路的改进 由于在实际集成电路中，对于电流源的性能有各种不同的要求，所以实际的电流源需要在上述基本电流源的基础上加以改进： 提高电流源的输出阻抗 比例电流源 与电源无关的电流源 减小晶体管b 的影响 提高电流源的输出阻抗 增加电流源的输出电阻有利于减小输出电流与参考电流的比例误差 增加电流源的输出电阻有利于加大放大器的电压增益 提高电流源的输出阻抗的电路 比例电流源 改变发射结面积的比例电流镜的缺点 比例关系比较简单 比例过大时会占用过多的芯片面积 带发射极电阻的比例电流镜 电流比等于电阻比的倒数 通过改变电阻可方便地得到需要的工作电流值 微电流源 只有一个发射极电阻的比例电流镜 可以得到极微小的电流 与电源无关的电流源 基本电流源的参考电流与电源电压有关，导致输出电流与电源电压有关 放大电路的各项指标与电源电压相关 放大电路的电源抑制比下降 改进：让电流源的参考电流与电源电压无关 多种实现方式 利用稳压管稳定参考电压的电流源 与电源无关的BJT电流源 上述方程组的解可以确定Iref，从而可以确定电路中其余晶体管的输出电流。由于方程中不包含电源，所以此电流源与电源无关。 与电源无关的FET电流源 不带启动电路 带启动电路 减小晶体管b 的影响的电流源 晶体管电流放大系数b 的影响有大幅度的减小 输出电流的精度有大幅度的提高 有源负载放大电路 在集成电路设计中，为了改善放大器的性能以及集成电路工艺的需要，通常用电流源代替放大器的负载电阻，称为放大器的有源负载 交流小信号等效电路 有源负载共源放大器实例 参数：IDQ＝0.1mA，Early电压均为100V，Kn=5mA/V2 可以算得： ，Av＝707（57dB） 电阻负载比较： 电阻负载电路的电压增益为 要达到57dB增益，负载电阻将高达106欧姆。由于IDQ＝0.1mA，所以电源电压将高达100V! 有源负载的放大器的特点 具有很高的电压增益 有源负载放大器的增益与电源电压无关 前提是保证晶体管进入正常放大状态（BJT在放大区，FET在饱和区） 大大节约芯片面积 原因是有源负载放大器在集成电路生产中不需要大电阻 差分放大器 差分放大器的工作原理 差分放大器的直流传输特性 采用有源负载的差分放大器 差分放大器的输入失调 差分放大器 集成电路中最基本的放大器电路 电路对称、漂移小、抗共模干扰能力强 很强的通用性 相当宽的工作频率 还能够完成限幅、增益控制、混频、调制解调等许多非线性功能 差分放大器的结构 差分放大器的交流小信号分析 假设晶体管完全对称 忽略rds 差模电压增益分析 差模输入信号 两个输入端分别输入幅度相等、相位相反的信号为，即vi1＝－vi2 差模电压增益 输出电压表达式 共模电压增益分析 共模输入信号