超深亚微米器件总量辐射效应三维数值模拟何宝平.pptxVIP

超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟Three-dimensional Simulation Of Total Dose Effects On Ultra-deep Submicron Devices;;超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟* 摘要：本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况，给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法. 研究结果表明，如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷，仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起，并且能够很好地反映试验结果. 在研究总剂量辐照特性改善方面，在剂量不是很大的情况下，采用超陡倒掺杂相对于均匀掺杂能有效地减小辐照所引起的泄漏电流. 如果采用峰值(Halo)掺杂，不仅有利于提高超深亚微米器件的抗辐照能力，而且在大剂量的情况下，可以得到明显的效果. 关键词:总剂量，超陡倒掺杂，Halo掺杂，辐射效应 PACS:61.80. Ed，61.80. Jh，81.40. Ba，73.40. Qv;1 引言 Introduction;图1是利用MESH软件构建的用于模拟中芯国际(SMIC)0. 18μm n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)三维结构图，从不同部位的灰度可以粗略判断出各部分掺杂浓度的大小. 图2是垂直于X轴方向对应的剖面图 ; ;在模拟总剂量辐照对器件的损伤过程，考虑在STI隔离中添加非均匀电荷分布来拟合STI中氧化层陷阱电荷与界面态陷阱的影响，辐照过程中的缺陷积累和退火过程的缺陷恢复由以下公式给出【3】。 辐照过程中的缺陷积累 退火过程中的缺陷恢复 式中，g代表辐照剂量率，k1，k2分别代表空穴俘获率常数和退火率常数. k20是逃逸频率，β是和势垒高度有关的隧道参数. Nt 代表空穴陷阱密度，本文选择Nt为3×1017cm-3。;运用DESSIS三维器件仿真程序模拟了SMIC0.18μm工艺 晶体管的总剂量辐照效应. 通过比较I-V曲线的仿真和试验结果，对在模拟中使用的模型参数进行了确认，得到参数k1，k20，β分别为1.1×10-5rad-1，4.9×10-5s-1和2. 2nm-1。 图3(a)、(b)分别给出了不同总剂量辐照下，0.18μm NMOSFET 亚阈Id—Vg曲线的试验和理论仿真结果.;3 模型的改进;3 模型的改进;3 模型的改进;4 超陡倒掺杂条件下器件抗辐射性能的改善;4 超陡倒掺杂条件下器件抗辐射性能的改善;4 Halo掺杂条件下器件抗辐射性能的改善;4 Halo掺杂条件下器件抗辐???性能的改善;结论 Conclusion;参考文献 Reference