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2012级研究生半导体物理学期末考试试题 注：卷面满分94分，平时作业及考勤6分，满分100分 解释下列物理概念：（每题3分，共30分） p15空穴:空的量子态 A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； C、EP=-En D、mP*=-mn*，在半导体中存在两种载流子：（1）电子；（2）空穴；而在本征半导体中，n=p。价带内ke态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以ke状态的电子速度V（ke）运动时所产生的电流,称这个带正电的粒子为空穴。空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应价带中的电子空位. 电子和空穴共同参与半导体的导电。在价带顶附近空穴的有效质量为正的恒量。空穴的有效质量记为 mp* 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴，（mp*)l 。 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 2 .p48 等电子陷阱: 固体中的等电子杂质以短程作用为主的俘获电子或空穴所形成的束缚态。所谓等电子杂质系指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP中取代P位的N或Bi原子。等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径，这些差异会产生以短程作用为主的杂质势，可以俘获电子(或空穴)。当这种杂质势的绝对值大于电子(或空穴)所处的能带的平均带宽或电子的有效“动能”时，能带中的电子（或空穴）便可能被等电子杂质所俘获并造成电子（或空穴）束缚态。相对于点阵原子而言，通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态，反之形成空穴束缚态。前者又称等电子受主，后者为等电子施主。这是两种最基本的等电子陷阱。此外，实验上已确认：不仅孤立的等电子杂质，而且不同距离的两个等电子杂质联合成对，例如GaP中的NNi对（i=1,2,…分别表示处于第一近邻、第二近邻……等的NN对）也可以形成等电子陷阱。等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。因为这种束缚激子(至少其中有一个载流子)在正常空间中是非常局域化的,根据量子力学的测不准关系,它在动量空间的波函数相当弥散，使得处于布里渊区内动量不为零的电子在动量为零处波函数也有相当幅度。这样，就和空穴波函数有大的交叠。因而有可能实现准直接跃迁而使辐射复合几率显著提高。在间接带隙的材料中，引入适当的等电子杂质，就可使发光效率获得显著提高。这一原理已在GaP和GaAsP发光二极管的制造中被广泛应用。 费米分布函数; 式中EF具有能量量纲，称为费米能级。空穴的费米分布函数温度不很高时: ( 能量大于 EF 的量子态基本没有被电子占据( 能量小于 EF 的量子态基本为电子所占据( 电子占据 EF 的概率在各种温度下总是 1/2;费米能级由温度和杂质浓度决定; 费米能级位置标志着电子填充能级水平的高低。EF 的意义: EF 的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。 EF 越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据。 EF的位置既反映其导电类型，又反映其掺杂水平 4. 激子:p262 半导体中电子和空穴因库仑力相互作用而形成的电子、空穴对。体半导体材料中, 激子结合能小，在低温、高纯材料中才能观察到, 半导体量子阱中, 激子结合能大，在室温下能观察到; 绝缘体或半导体中电子和空穴由其间库仑相互作用而结合成的一个束缚态系统。在半导体中，如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去，则在价带内产生一个空穴，而在导带内产生一个电子，从而形成一个电子-空穴对。空穴带正电，电子带负电，它们之间的库仑吸引互作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起，这样形成的复合体称为激子。一个激发态分子S*与它的一个基态分子S结合形成一个瞬态激发态二聚体(SS)*，被称作激子或激基缔合物，它比较容易在芳香族溶液体系中形成，S*+S←→(SS)*→S+S+hv通常激子的能量低于激发态分子。因此，这种激子去活时发出的荧光具较长的波长。在光跃迁过程中，被激发到导带中的电子和在价带中的空穴由于库仑相互作用，将形成一个束缚态，称为激子。通常可分为万尼尔（Wannier）激子和弗伦克尔（Frenkel）激子，前者电子和空穴分布在较大的空间范围，库仑束缚较弱，电子“感受”到的是平均晶格势与空穴的库仑静电势，这种激子主要是半导体中；后者电子和空穴束缚在体元胞范围内，库仑作用较强，这种激子主要是在绝缘体中。 (2DEG) 调