光子学与信息时代第三讲.pptVIP

光子学与信息时代 Wuhan University of Technology 直接调制和外调制 光源的外调制技术 调制信号不直接施加在LD上，而是施加在光调制器上。 外调制技术分类： 电光调制 Electrooptic Effects 电致吸收 Electro-Absorption Effects 磁光调制 Magnetooptic Effects 声光调制 Acoustic Modulators 其中电光调制和电致吸收最为常用。 电光效应光调制器 电光效应：电压施加于某些电光晶体(如LiNbO3 ) ，导致晶体折射率发生变化，引起通过该晶体的光波特性发生变化。 折射率变化?n与外加电场E有着复杂的关系，可近似地认为?n与(r ?E?+R ?E?2)成正比。 40Gb/s LiNbO3 Modulator 电致吸收光调制器 使用材料：III-V族半导体材料 特点：易与激光器集成、体积小、驱动电压低（~2V）、啁啾大于LN调制器（2.5Gb/s--640km;10Gb/s--80km)、调制码（40Gb/s）、消光比低于LN调制器（~10dB） 2、光开关（Switches） 实现光通道的通断和转换。光网络中的关键器件。 开关时间是光开关的主要指标。不同的应用场合,对光开关的开关时间要求不同。 光开关的分类 机械光开关 热光开关 电光开关 微光机电系统（MOEMS） 机械式光开关 特点：低插损、低PDL、低串话(隔离度高)、性能稳定、低价格，但速度慢(~ms)只能用在OXC和OADM节点中。是目前最为成熟，应用最广的光开关 热光效应光开关 基本结构：MZ干涉仪，通过改变某一干涉臂的材料温度，而改变其相位差，进而实现光信号的通断 特点：可以集成、开关速度优于机械式（ms） 电光效应光开关 LiNbO3波导型电光开关：等同于外调制器 特点：速度快（10ps~1ns）、偏振敏感、价格昂贵 半导体光放大器SOA光开关：改变SOA驱动电流来实现 特点：速度快（~ns）、无损开关，但引入ASE噪声和可能导致信号畸变、价格昂贵 新型光开关——MOEMS 微光机电系统(MOEMS)光开关是微机电系统技术(MEMS)与传统光技术相结合的新型机械式光开关。 MEMS技术是基于半导体微细加工技术而成长起来的制作工艺技术，利用这种技术可以制作出微小而活动的机械系统。 采用集成电路(IC)标准工艺在Si衬底上制作出集成的微反射镜阵列，反射镜尺寸非常小，仅300微米左右，比头发丝还细。 光环形器 基本原理：工作原理等同于隔离器。 光传送顺序：1?2 ?3 ?4 （三端口，四端口，多端口） 本章内容 一、粒子系统的光跃迁－－－光源 二、光在介质中的传输－－－光波导 三、半导体的光吸收－－－光子探测器 四、光子功能器件 四、光子功能器件 光传输系统，除了光子发射源和光子接收器外，尚需要一些光波导和光器件。 1、光调制器 2、光开关 3、光环形器和光隔离器 1、光调制器（ Modulator ） 光的调制是光子（或光波）载体载入信息的物理过程。 光调制器：实现从电信号到光信号的转换 光调制的分类： 从光源调制角度看，有两种方法实现光调制，其一，将调制信号直接注入激光器（调制激光器驱动电流），而实现激光输出光强度等参数的调制--内调制或直接调制（简单、经济、引入较大的啁啾）；其二，将调制信号控制激光器后接的外调制器，利用调制器的电光、声光等物理效应使其输出光的强度等参数随信号而变--外调制（调制信号啁啾小）。 按被调制光波的参数分：强度调制、相位调制、偏振调制等。 Laser Direct Modulation of Laser Diode Bias + DATA ? Issues -- Complex Dynamics Yield External Modulation of Laser Diode Laser Modulator ? ? Bias Bias + DATA Issues -- Additional Component 电光调制器主要利用普科尔(Pocket)效应. 普科尔(Pocket)效应：晶体折射率与外加电场幅度成线形变化 克尔(Kerr)效应：晶体折射率与外加电场幅度的平方成比例变化 晶体折射率随外加电场而变化。具有非常好的消啁啾特性，适合于高速系统的超长距离传输。但调制器的插入损耗大，需要较高的驱动电压(典型值为4V)，难以与光源集成，而且对偏振敏感。 是一种损耗器件，利用Franz-Keldysh效应和量子限 制Stark效应，工作在调制器材料吸收边界波长处。 Franz-Keldysh效应：1958年提出，是指在电场作用 下半导体材料的吸收边红移的理论。 原理：改变调制器上的偏