第九章：表界面的结构与行为(二).pptVIP

* * 表界面的结构与行为(二) 4、表面与界面的结构 5、实际表面结构 6、晶体的界面结构 重点 4、表面与界面的结构 界面：相与相的交界面； 表面：气相与凝聚相的交界面 （1）清洁表面的结构 表面经过特殊处理，保持在 10-9~10-10 高真空状态； （离子轰击、退火处理、热蚀、外延、场效应蒸发等）由于表面原子周期性排列突然中断，形成了附加表面能，理想的清洁表面： 通过调整表面几层原子的排列来完成。 1）弛 豫（relaxation） 表面原子周期性排列突然中断，相当在外表面形成镜像电荷，使负性粒子外移，垂直表面方向产生表面电矩。表面区晶格结构不变，晶格常数变化 ?a，?a 可大于零（晶格常数增加）可小于零。 几种清结表面结构 离子晶体清洁表面出现弛豫； 金属表面存在弛豫结构。 2）重 构 杂化成键晶体（半导体），表面原子排列中断，不能正常杂化，发生退化，改变键方向、表面原子对称性。发生重构。 两种： a）表面晶面与体内不同 — 超晶格（超结构：将两种或两种以上不同材料按照特定迭代序列，沉积在衬底上构成）； b）表面晶格常数增大，表面原子尺寸大于体内； 重构时： 表面区原子晶格常数与结构有变化。为使表面能尽可能小，表面区原子排列与体内有一定联系（晶格结构不变，晶胞参数变化。很多情况，晶格常数变大，或原子排列偏转某一角度）。 例：硅： 1、清洁表面 Si (111)×2×1，表示衬底单晶 (111) 表面原子作 (111) 排列，晶格常数在一方向与衬底一样，另一方向是衬底晶格常数两倍。 3）叠 层 其他原子（可自外部也可是内部杂质）在表面几层形成覆盖结构，体内不存在。 与吸附不同，物理吸附发生在表面外， 叠层中，有几层在表面层内。 像界面扩散，但扩散一直向内层进展，叠层是一种较稳定结构。 几种清结表面结构 弛豫、重构都属表面区原子自身调整，排列如图 （2）清洁表面缺陷 清结表面：热力学不稳定状态，存在各种缺陷。 1）TLK表面模型 Terrace：平台，Ledge：台阶，Kink：扭折的组合。 实际表面（单晶表面），不是原子级平整度，是除存在各种形式缺陷、吸附原子、分子外，还有平台、台阶和纽结，称 — TLK 表面模型。 2）缺陷： 平台点缺陷：吸附或偏析的杂质原子和空位。 表面上：正负离子空位对、空位群、杂质空位对是表面点缺陷。 3）位错： 表面是位错露头处， 位错相当于直径为原子尺寸的管道， 从体内通到表面，位错的管道口在表面露头，形成台阶。 理想表面： 表面区原子排列与体内一样。实际表面：自然界中存在的表面； 实际清洁表面： 除原子级不平整外（TLK模型），有各种缺陷：吸附原子、空位、空位团、位错。 5、实际表面结构（自然界中存在的表面） （1）表面形态 参数评价： （1）轮廊算术平均偏差 Ra yi 测量点到中线距离，n 测量点数； （2）微观不平整十点高度 Rz 5 个最高峰 5 个最低谷平均值和； （3）轮廊最大高度 Ry 除去个别明显偏离后，通过最高峰和最低谷分别作平行于中线的平行线，间距为轮廊最大高度。 （2）表面组织（经抛光等机械加工后金属的表面区） 金属经打磨获平整表面后，才能抛光。加工过程形成损伤区。 金属表面组织：氧化物（0.01~0.1μm)、贝尔比层（5-100nm）、严格畸变区（1~2μm）、强烈畸变区（5~10?m）、明显（轻微）畸变区（20~50μm）、残留损伤区 100 ?m。 抛光金属表面附近的组织，经过机械加工后一个金属表面区组织 贝尔比层： 金属抛光引起局部熔化，快速冷却形成非晶层，成分是金属及氧化物混合物，抛光后，表面有一光亮而致密抛光层，厚5~l00nm — 贝尔比 (beilby) 层 ； 变形区： 损伤区与加工材料硬度和脆性及加工方式直接关系。 切磨、挤压、抛光加工后材料表面，相当宽范围，晶粒大小、结晶程度、应力畸变和显微组织明显不均匀。 晶粒尺寸变化 切磨、抛光加工，产生大量热能，分布不均匀，表面区局部熔化，迅速冷却结晶。 （3）表面成分 由于吸附及不同相化学势不同，造成表面区主成分、杂质浓度与体内明显差别。 1）表面杂质的偏析与耗尽 表面区杂质浓度比体内大，利于减小表面能 — 偏析(segregation)； 表面区杂质浓度低于体内 — 耗尽 (depletion)。 2）金属与合金的表面成分 a、金属表面成分：气相、高（低）价氧化物、金属。 b、合金表面成分：与金属表面成分类似，比金属复杂。 金属易氧化，存在大气中时，先形成氧化层。 成分决定于：环境温度、氧分压和材料性质。 例：铁表面： 570℃ 以上：大气/Fe2O3/Fe3O4/FeO/Fe； 570℃ 以下：大气/Fe2O3/Fe3O4/Fe。 （4）高温下的固体表面 高温：固体表面发生