苯和氯苯在si111-7×7表面化学吸附行为的理论研究-theoretical study on chemical adsorption behavior of benzene and chlorobenzene on si 111 - 7× 7 surface.docxVIP

摘要(表面科学家们正在比以前任何时候都愈来愈多地应用理论计算来研究半导 摘要 (表面科学家们正在比以前任何时候都愈来愈多地应用理论计算来研究半导 体硅表面所发生的化学反应过程。用有机分子修饰半导体器件，可以大大改善器 件的电性能，有广阔的应用前景。了解有机分子对半导体硅表面的相互作用，可 以有计划、可控制地改变并完善硅基半导体装置如微电子器件及传感器等的电性 能。在这一背景下，近年来试图从根本上了解单晶硅表面与有机分子相互作用的 工作不断大量涌现，但是有关有机分子在Si(111)一7×7表面的吸附在理论上的研 究却很少。＼ 本论文运用精确的从头计算方法和密度泛函方法，较为系统地研究了苯和氯 苯在半导体Si(1 1 1)一7×7表面上的表面化学吸附行为。本论文的主要工作成果如 下： 1．采用两种大小不同的原子簇模型si。。H。。和si，。H，。，分别用两层ONIOM方法(对 较大原子簇)和普通量子化学方法(对较小原子簇)考察了苯分子在si(111)一7×7 表面的化学吸附。对三种可能的吸附物种分别用DFT或HF方法进行了计算。f通 过大小原子簇吸附物种的吸附能以及几何构型优化参数的比较发现，对于稳定的 吸附物种，较小的原子簇基本上可以代替较大的原子簇进行计算，而对于不太稳 定的吸附物种，就不得不考虑周边原子的影响。计算结果表明苯在Si(1 l 1)一7×7 表面的主要吸附物种是双G成键的l，4加成产物，不稳定的单吸附物种可能是1，4 加成物种的前驱态。该微观机理的提出使得我们对有机小分子在半导体表面吸附 这一基本过程有了进一步的本质上的了解。J 2．本论文用较高级精确至廑运鱼直鎏(B3LYP)的理论方法计算了氯苯在 si(111)一7x7表面的化学吸附。计算了在未错位和错位两个部分的四种不同的原 子簇，即错位和未错位的中心吸附原子一剩余原子对和顶角吸附原子一剩余原子对 上所有可能形成的双位吸附物种和单位吸附物种构型，并对这些吸附构型做了零 点能的校正詹 果发现双G一成键吸附构型是氯苯在此硅表面化学吸附最稳定的物 ＼ 种，而且是2，5位双盯构型的要比1，4位双。构型稳定，在中心吸附原子上的吸 附要比在顶角吸附原子上的吸附稳定，未错位部分的吸附要比错位部分的吸附 强。频率的计算结果与实验值吻合的很好，更进一步证实了双位吸附物种的存在。4 关键词 5i(11 1)。7×7表吨苯i氯苯i化学吸附；双一。成键；DFl侣3LYI’_)( 义 肖 AbstractThere Abstract There increasing usages of calculations among surface scientists for studying of the chemical reactions silicon surfaces recently The adsorption of organic molecules silicon surfaces has recently become increasingly important aspect of the surface modification in microelectronics and sensing technology It is possible to design and create organic solid interfaces with combined chemical，physical and biological functionalities by surface modifications Therefore，there growing efforts dedicated to the fundamental understanding of the molecular adsorption silicon surface．But few theoretical calculations have been reposed to understand the experiment about the organic molecular adsoption Si(1 1 1)一7×7 surface We have studied the benzene and chlorobenzene adsorption Si(1 1 1)一7x7 surface systemly with accurate ab intio and density functional theory method．The main works of the present paper include the following pans： 1．A the