半导体光电器件半导体光电器件物理基础教学课件PPT.ppt

　 ???  ， 。 * * 直接跃迁：导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；这种直接带隙半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁。如GaAs， InSb及Ⅱ－Ⅵ族等材料等。 间接跃迁：导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方；在这种半导体中，除了直接跃迁外，还存在着非直接跃迁过程，在非直接跃迁过程中，电子不仅吸收光子，同时还有声子的参与。 * * 非本征吸收 波长比本征吸收限长的光波在半导体中往往也能被吸收，为非本征吸收。 非本征吸收主要包括如下几种类型： 激子吸收 能产生激子的光吸收称为激子吸收。这种吸收的光谱多密集于本征吸收波长阈值的红外一侧。 激子能级图 激子吸收光谱 * 自由载流子吸收：导带内的电子或价带内的空穴也能 吸收 光子 能量，使它在本能带内由低能级迁移到高能级，这种 吸收称为自由载流子吸收，表现为红外吸收。 * 杂质吸收：杂质能级上的电子（或空穴）吸收光子能量，从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带），这种吸收称为杂质吸收。杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。 杂质吸收中的电子跃迁 杂质吸收曲线 * 晶格吸收 半导体原子能吸收能量较低的光子，并将其能量直接变为晶格的振动能，从而在远红外区形成一个连续的吸收带，这种吸收称为晶格吸收。 半导体对光的吸收主要是本征吸收 对于硅材料，本征吸收的