第六章 热辐射器件热释电探测器.pptVIP

六．常用的热释电探测器 1. 硫酸三甘肽（TGS）晶体热释电器件 它在室温下的热释电系数较大，介电常数较小，比探测率D*值较高[D*(500, 10 ,1) 1~5×109cmHz1/2W－1]。在较宽的频率范围内，这类探测器的灵敏度较高，因此，至今仍是广泛应用的热辐射探测器件。 TGS可在室温下工作，具有光谱响应宽、灵敏度高等优点，是一种性能优良的红外探测器，广泛应用红外光谱领域。 掺丙乙酸的TGS（LATGS）具有很好的锁定极化特点。温度由居里温度以上降到室温，仍无退极化现象。它的热释电系数也有所提高。掺杂后TGS晶体的介电损耗减小，介电常数下降。前者降低了噪声，后者改进了高频特性。在低频情况下，这种热释电器件的NEP为4×10－11 W/Hz-1/2，相应的D*值为5×109cm·Hz1/2W－1。它不仅灵敏度高，而且响应速度也很快。 3. 钽酸锂（LiTaO3） 这种热释电器件由于材料中钡含量的提高而使居里温度相应提高。例如，钡含量从0.25增加到0.47，其居里温度相应从47°C提高到115°C。SBN探测器在大气条件下性能稳定，无需窗口材料，电阻率高，热释电系数大，机械强度高，在红外波段吸收率高，可不必涂黑。工作在500MHz也不出现压电谐振，可用于快速光辐射的探测。但SNB晶体在钡含量x0.4时，如不加偏压，在室温下就趋于退极化。而当x0.6时，晶体在生长过程会开裂。 在SNB中掺少量La2O2可提高其热释电系数，掺杂的SBN热释电器件无退极化现象，D*(500, 10 ,1) 达8.0×108cm·Hz1/2·W－1。掺镧后其居里温度有所降低，但极化仍很稳定，损耗也有所改善。 这种热释电器件具有很吸引人的特性。在室温下它的热释电响应约为TGS的一半，但在低于零度或高于45°C时都比TGS好。 2. 铌酸锶钡 (SBN) 4. 压电陶瓷热释电器件 压电陶瓷器件的特点是热释电系数γ较大，介电常数ε也较大，二者的比值并不高。其机械强度高、物理化学性能稳定、电阻率可以控制；能承受的辐射功率超过LiTaO3热释电器件；居里温度高，不易退极化。例如，锆钛酸铅热释电器件的Tc高达365℃，D*（500，1，1）高达7×108cm·Hz1/2·W－1。此外，这种热释电器件容易制造，成本低廉。 该器件的居里温度Tc高达620°C，室温下的响应率几乎不随温度变化，可在很高的环境温度下工作；且能够承受较高的辐射能量，不退极化；它的物理化学性质稳定，不需要保护窗口；机械强度高；响应快（时间常数为13×10-12s，极限为1×10-12s；）；适于探测高速光脉冲。已用于测量峰值功率为几个千瓦，上升时间为100ps的Nd:YAG激光脉冲。其D*（500, 30, 1）达8.5×108cm·Hz1/2·W－1。 5. 聚合物热释电器件 有机聚合物热释电材料的导热小，介电常数也小；易于加工成任意形状的薄膜；其物理化学性能稳定，造价低廉；虽然热释电系数γ不大，但介电系数ε也小，所以比值γ／ε并不小。在聚合物热释电材料中较好的有聚二氟乙烯（PVF2）、聚氟乙烯（PVF）及聚氟乙烯和聚四氟乙烯等共聚物。利用PVF2薄膜已得到D*（500，10，1）达108cm·Hz1/2·W－1。 6. 快速热释电探测器 如前所述，由于热释电器件的输出阻抗高，因此需要配以高阻抗负载，因而其时间常数较大，即响应时间较长。这样的热释电器件不适于探测快速变化的光辐射。即使使用补偿放大器，其高频响应也仅为103Hz量级。 近年来发展了快速热释电器件。快速热释电器件一般都设计成同轴结构，将光敏元置于阻抗为50Ω的同轴线的一端，采用面电极结构时，时间常数可达到1ns左右，采用边电极结构时，时间常数可降至几个ps。图所示为一种快速热释电探测器的结构原理图。光敏元件是SBN晶体薄片，采用边电极结构，电极Au的厚度为0.1μm，衬底采用Al2O3或BeO陶瓷等导热良好的材料。输出用SMA/BNC高频接头。这种结构的热释电探测器的响应时间为13ps， 其最低极限值受晶格振动弛豫时间的限制，约为1ps。不采用同轴结构而采用一般的管脚引线封装结构，热释电探测器的频响带宽已扩展到几十兆赫。快速热释电器件常用来测量大功率脉冲激光，需要能承受大功率辐射，为此应选用损伤阈值高的热释电材料和高热导的衬底材料制造。 第六章 热探测器 光电子技术 6.1 热辐射的一般规律 6.2 热释电探测器 6.3 热敏电阻 6.4 测辐射热电偶、热电堆 本章主要介绍热探测器的工作原理、基本特性以及 热探测器件的工作电路和典型应用。 对热电探测器的分析可分为两步： 第一步是