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第5 章硅外延生长
第5 章硅外延生长
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
第5章 硅外延生长
第5章 硅外延生长
5-1、外延生长概述
5-2、硅的气相外延生长
5-3、硅外延层电阻率的控制
5-4、硅外延层的缺陷
5-5、硅的异质外延
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
什么是SOI? SOS?
SOI (Semiconductor/Silicon On Insulator )
称绝缘层上硅,是一种新型结构的硅材料
在体硅中加入绝缘层,绝缘层上生长硅单晶层
有望替代体硅而成为新一代的集成电路衬底材料
SOS (Silicon On Sapphire/Spinel )
蓝宝石( α-Al O )或尖晶石(MgO·Al O )衬底上外延
2 3 2 3
生长硅
是SOI材料中的一种,蓝宝石和尖晶石是良好的绝
缘体
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
为什么用SOI ?
体硅的问题:
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
为什么用SOI ?
体硅的问题:
超大规模集成电路取得快速发展的动力主要源于不断减小
的器件尺寸和不断增加的芯片面积,当特征尺寸减小到
100nm以下时会出现以下一系列问题:
器件尺寸减小,导致热载流子效应,工作电源电压必须降
低。为了保证电路性能,阈值电压应随之降低,导致关态
漏电流的迅速增加。
体硅中的寄生可控硅闩锁效应。
由于特征尺寸减小,电源电压降低导致软失效问题,降低
了电路的抗干扰能力。
集成度的提高,导致电路功耗密度提高,由此引发的功耗
热耗问题亟待解决。
器件间隔离区占芯片面积比例增大,寄生电容增大。
……
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
为什么用SOI ?
SOI的技术优势:
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
为什么用SOI
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