半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第4章4.3-4.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第4章4.3-4.pdf

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硅、锗晶体中缺陷来源：从缺陷产生的时段上划分原生缺陷：在晶体生长过程中产生的缺陷。二次缺陷：也称为工艺诱生缺陷，是器件加工制造过程中引入的缺陷（晶体加工、热处理及高能粒子的辐射或轰击）。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料晶体中缺陷的种类点缺陷：偏离理想点阵结构的部位仅为一个原子或几个原子的范围内，所有方向上尺度都很小：空位、间隙原子、杂质原子及空位对和聚集体等线缺陷：偏离理想点阵结构的部位为一条线，在其它两个方向上尺寸比较小：位错面缺陷：偏离理想点阵结构的部位为二维尺寸比较大的面：晶界、孪生晶界、堆垛层错、相界和晶体表面或界面等体缺陷：在晶体中的三维尺寸都比较大：孔洞、夹杂物、沉淀物或第二相团等微缺陷：若干点缺陷在晶体中的聚集形成的缺陷，尺寸比点缺陷大比体缺陷小：在无位错单晶中广泛存在的一类缺陷，其几何尺寸多为微米或亚微米量级。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 4-1 、硅、锗晶体中杂质的性质 4-2 、硅、锗晶体的掺杂 4-3 、硅、锗单晶的位错 4-4 、硅单晶中的微缺陷吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料硅、锗晶体生长(原生缺陷)与加工(二次缺陷)时，常引入应力而产生很多位错；位错常以不同的组态，如星形结构、位错排等分布在晶体中；晶体中的位错对材料和器件性能的影响是多方面的。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 4-3-1 位错对材料和器件性能的影响 1. 位错对载流子浓度的影响 2. 位错对迁移率的影响 3. 位错对非平衡载流子寿命的影响 4. 位错对器件的影响吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 1. 对载流子浓度的影响 Shokloy-Read认为: 棱位错：不饱和的悬挂键，可接受一个电子形成电子云的满壳层，即对应一个受主能级。整个位错线犹如一串受主。螺位错：没有悬挂键，对晶体电性质的影响不重要。位错线吉林大学电子科学与工程学院