半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第9章.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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第9章 II-VI族化合物半导体第9章 II-VI族化合物半导体吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 1、II-VI族化合物半导体 2 、自补偿效应 3 、氧化物半导体 4 、有机半导体 5、C族半导体吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 ⅡB族元素：Zn Cd Hg ⅥA族元素：S Se Te 组成9种二元化合物元素 S Se Te Zn ZnS 3.6eV ZnSe 2.7eV ZnTe 2.26eV Cd CdS 2.4eV CdSe 1.67eV CdTe 1.6eV Hg α-HgS 2.1eV HgSe 0eV HgTe -0.15eV 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料元素 S Se Te Zn ZnS 3.6eV ZnSe 2.7eV ZnTe 2.26eV Cd CdS 2.4eV CdSe 1.67eV CdTe 1.6eV Hg α-HgS 2.1eV HgSe 0eV HgTe -0.15eV 只闪锌矿晶体结构：ZnSe 、HgSe 、ZnTe 、CdTe和 HgTe 闪锌矿和纤锌矿晶体结构：ZnS 、CdS、HgS和CdSe HgTe和HgSe的禁带宽度Eg ≤0 半金属直接跃迁型，禁带比较宽(比同周期Ⅲ- Ⅴ族化合物宽) 基本特性大体符合随原子序数和的变化而变化的规律吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 II-VI化合物的主要应用 1. 光电器件，ZnS ZnSe CdS和ZnTe都是重要的蓝绿光 LED和LD半导体材料 2. 薄膜场致发光显示器TFEL ，尤其是ACTFEL ：ZnS ACTFEL可制成各种面积、形状的平面光源，其光效高，耗电少 3. 光/辐射探测器，CdTe是高能辐射、高能粒子探测的重要材料，在医学、核安全等方面有重要应用， HgCdTe/CdTe在红外成像方面得到广泛应用 4. 光电导探测器，CdS,ZnSe 5. 太阳电池，CdS/CdTe其理论转换效率为30% ，已开始大规模产业化 6. 热/红外探测