半导体材料（大学课件）张源涛-课件-7-3,4,5,6.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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半导体材料（大学课件）张源涛-课件-7-3,4,5,6.pdf

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第7章III-V族化合物的外延生长第7章III-V族化合物的外延生长吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第7章III-V族化合物的外延生长第7章III-V族化合物的外延生长 7-1、气相外延生长(VPE) 7-2、金属有机物气相外延生长MOVPE 7-3、液相外延生长(LPE) 7-4、分子束外延生长(MBE) 7-5、化学束外延生长(CBE) 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料液相外延生长(LPE) 液相外延(Liquid Phase Epitaxy ，LPE) ：从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法。液相外延实质上是从金属溶液中生长一定组分晶体的结晶过程。它是在多相体系中进行的。体系的p-T-x相图是液相外延的物理化学基础，可正确控制外延层的性质，确定合理的工艺参数。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 7-3-1 液相外延的相平衡原理 1237℃ 用Ga做溶剂，在低于GaAs 熔点的温度下生长GaAs晶体。如Ga溶液组分为CL1 ，当温度T=TA 时，它与GaAs衬底接触，此时A 点处于液相区，故它将溶掉GaAs 衬底 (俗称吃片子) 。 GaAs衬底被溶解后，溶液中As 量增大，A 点朝右移动至A’后，GaAs才停止溶解。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 7-3-1 液相外延的相平衡原理如组分为CL1 的Ga溶液在温度TB 时与GaAs接触，这时溶液为饱和态，GaAs将不溶解。降温后溶液变成过饱