半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第4章4.1-2.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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半导体材料（大学课件）张源涛-课件-第4章4.1-2.pdf

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第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 4-1 、硅、锗晶体中杂质的性质 4-2 、硅、锗晶体的掺杂 4-3 、硅、锗单晶的位错 4-4 、硅单晶中的微缺陷吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 4-1-1 杂质能级杂质来源 ①多晶原料 ②生长过程中沾污（坩埚、系统） ③人为掺入（生长中、后期工艺中）杂质位置 ①间隙：杂质半径相对较小的 ②替位：杂质半径相当或较大的通常杂质原子只有成为晶体结构的一部分，即位于格点上才能起作用；加热可以起到晶格激活作用，如离子注入后的退火吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 4-1-1 杂质能级杂质类型：施主杂质受主杂质杂质补偿杂质能级：浅能级杂质：硅、锗中Ⅲ族或Ⅴ族杂质，电离能低，对材料电导率影响大，起施主或受主作用。深能级杂质： Ⅰ副族和过渡金属元素，电离能大，对材料电导率影响小，起复合中心或陷阱的作用。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 4-1-1 杂质能级施主能级和施主电离硅中的施主杂质吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 4-1-1 杂质能级受主能级和受主电离硅中的受主杂质吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料杂质在硅、锗中的能级与它的原子构造、在晶格中所占的位置有关。如：Ⅲ族和Ⅴ族杂质在硅、锗中占替代式晶格位置，电离后，可提供一个受主或施主能级； Ⅱ族的Zn或Cd杂质原子进入硅、锗中,