半导体材料（大学课件）张源涛-课件-7-1,2.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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第7章III-V族化合物的外延生长第7章III-V族化合物的外延生长吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第7章III-V族化合物的外延生长第7章III-V族化合物的外延生长 7-1、气相外延生长(VPE) 7-2、金属有机物气相外延生长MOVPE 7-3、液相外延生长(LPE) 7-4、分子束外延生长(MBE) 7-5、化学束外延生长(CBE) 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 7-1 气相外延生长(VPE) 气相外延生长(Vapor Phase Epitaxy—VPE) 主要有以下三种方法：卤化物法(Ga/AsCl /H 体系) 3 2 氢化物法(Ga/HCl/AsH /H 体系) 3 2 金属有机物气相外延法吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 7-1-1 卤化物法外延生长GaAs 1. Ga/AsCl /H 体系气相外延原理及操作 3 2 1 2 3 4 H2 As +HCl GaCl+As +H GaAs 4 4 2 Ga H 2 AsCl 衬底主要反应过程 3 850º ①AsCl3 氢还原 ②Ga源区：Ga饱和 750º ③Ga的输运 ④低温区(沉积区) 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 Ga/AsCl /H 体系气相外延原理: 3 2 1. 高纯H 经过AsCl 鼓泡器，把AsCl 蒸气携带入反应 2 3 3 室中，它们在300~500 ℃的低温就发生还原反应， 4AsCl + 6H = As + 1