可靠性效应和物理机理.pptx

1;2;MOS器件的界面特性影响着器件的成品率、工作的稳定性和可靠性。 在Si-SiO2界面的SiO2一侧存在着多种形式的电荷或能量状态，一般归纳为以下四种基本类型： 　①二氧化硅层中的可动离子 　②二氧化硅中的固定电荷 　③界面态 　④二氧化硅层中的电离陷阱电荷;氧化层电荷的性质与来源;可动离子电荷Qm的测量： 1）在实际的MOS系统中，膜层中的可动离子是致使半导体器件不稳定的一个重要原因，膜层中的正电荷包含固定正电荷、Si界面态电荷和一部分靠近Si界面的可动离子电荷，因此，要确定膜层中的可动离子电荷 ，就必须进行电荷分离。把可动离子和固定电荷区分开来的办法是利用正、负偏压温度实验，简称Ｂ-T试验。　;3）保持偏压不变，将样品冷却到室温，然后去掉偏压，测量高频C-V特性，曲线所对应的平带电压值减小，C-V特性曲线向右移动，得到图中的曲线2。接着，改变偏压极性，作正BT处理。加热时间和温度与负BT相同。正BT处理后， SiO2中的可动正电荷又全部漂移到Si- SiO2界面附近，测量高频C-V特性，C-V曲线向左方移动，得到图中的曲线3。;5)右表中所列的可动离子面密度是国内典型亚微米ＣＭＯＳ工艺线上的测量数据;固定电荷Qf：分布在SiO2 一侧距Si-SiO2界面小于2.5nm的氧化层内的电荷，起源于硅材料在热氧化过程中引入的缺陷。 1) 固定电荷的面密度是固定的； 2) 位于Si-SiO2界面的2.5nm范围以内； 3) 面密度值受氧化层厚度或硅中杂质类型及浓度的影响不明显； 4) 与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系( 一般有(111)＞(110)＞(100))。;9;固定电荷Qf的测量：固定电荷可以近似地认为分布在硅-二氧化硅界面处，故平带电压： ;界面态：又称为界面陷阱电荷Qit，是指Si-SiO2 界面处位于禁带中的能级或能带，它们可以很短时间内和衬底交换电荷。 　①除了未饱和的悬挂键外，硅表面的晶格缺陷和损伤以及界面处杂质等也可以形成界面态。 　②退火可以有效地降低界面态密度。 　③界面态密度按（111）晶面大于(110)晶面、 (110)晶面大于(100)晶面的顺序而变。;氧化层陷阱电荷：是由于各种辐射如X射线、?射线、电子射线等产生的，可以是正电荷，也可以是负电荷，取决于氧化层陷阱中俘获的是电子还是空穴。 　①二氧化硅中产生的电子空穴对，如果没有电场，电子和空穴将复合掉，不会产生净电荷。 　②存在由正栅压引起的电场时，电子被拉向栅极，而空穴由于在二氧化硅中很难移动，可能陷于陷阱中，这些被俘获的空穴就表现为正的空间电荷。 　③辐射感应的空间电荷通过在300?C以上进行退火可以很快地消去。;对可靠性的影响;14;15;16;17;18;19;热载流子注入效应是MOSFET的一个重要失效机理。高能载流子，也称为热载流子： 产生于漏极的大沟道电场 有效温度高于晶格的温度 通过声子发射把能量传递给晶格，这会造成在硅-二氧化硅界面处能键的断裂 热载流子也会注入到SiO2中而被俘获 键的断裂和被俘获的载流子会产生氧化层电荷和界面态，这会影响沟道载流子的迁移率和有效沟道势能。 能量达到甚至超过SiO2-Si势垒（3.2eV）便会注入到SiO2中去；当能量等于或大于4.2eV时就会打断共价键而产生界面陷阱，这就是热载流子注入效应。;热载流子效应示意图;热载流子效应的性质;热载流子效应对器件特性的影响和测量;24;热载流子效应的影响因素;热载流子效应的改进措施;27;在MOS器件及其IC中，栅极下面存在一薄层SiO2，即常说的栅氧。栅氧的漏电与栅氧质量关系极大，漏电增加到一定程度即构成击穿，导致器件失效。 随着超大规模集成电路器件尺寸的等比例缩小，芯片面积不断增大，相应地栅氧总面积也增大，存在缺陷的概率增加，加上受到高电场的作用，栅氧发生击穿的地方增多，可靠性问题变得严重。;29;30;击穿的数学模型;到目前为止，哪一种模型较正确还未有定论，不过E模型推算出的寿命比1/E模型推算出的要小，故工业界一般采用E模型。整合温度与电场的加速模型可得到下列TDDB加速模型：;模型参数的提取;栅氧评价的其它方法;软击穿和应力产生的漏电流;改进措施与注意事项;37;当器件工作时，金属互连线的铝条内有一定的电流通过，金属离子会沿导体产生质量的输运，其结果会使导体的某些部位产生空洞或小丘（晶须），这就是电迁移现象。;电迁移物理原因与数学模型;40;41;42;影响电迁移的因素;失效模式;45;46;抗电迁移措施;硅－铝合金中含有氮及硅的析出可促进空洞的形成，硅－铝中加0.1%铜或铝条上覆以W、TiN及TiW等难熔材料可减缓空洞的形成，但难熔材料的电阻率较高，抗电迁移能力也较差，在尺寸继续缩小时也会引起问题，这可通过改进钝化层的淀积过程或