半导体材料（大学课件）张源涛-课件-5.1-5.2.pdfVIP

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2018-07-16 发布于浙江
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半导体材料（大学课件）张源涛-课件-5.1-5.2.pdf

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第5 章硅外延生长第5 章硅外延生长吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第5章硅外延生长第5章硅外延生长 5-1、外延生长概述 5-2、硅的气相外延生长 5-3、硅外延层电阻率的控制 5-4、硅外延层的缺陷 5-5、硅的异质外延吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料 5-1、外延生长概述外延生长的定义外延生长的分类发展外延生长的动机外延生长的特点及要求吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延的定义在一定条件下，通过一定方法获得所需原子，并使这些原子有规则地排列在衬底上；在排列时控制有关工艺条件，使排列的结果形成具有一定导电类型、一定电阻率、一定厚度的晶格完美的新单晶层（0.5~20μm ）的生成过程。在一定条件下，在单晶衬底上生长一层合乎要求的单晶层的方法。 Epitaxy 外延层 epi: upon taxy: orderly, arranged 衬底新生单晶层按衬底晶相延伸生长，称为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延生长分类衬底类型生长方法相变过程同质外延直接外延气相外延异质外延间接外延液相外延固相外延吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料外延层与衬底为同种材料：Si-Si, GaAs-GaAs 外延层和衬底为不同种材料：Sapphire-Si, GaAs-GaAlAs 失配位错