锌硼玻璃基低温烧结陶瓷的微波介电性能分析-analysis of microwave dielectric properties of zinc-boron glass-based low temperature sintered ceramics.docxVIP

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  • 2018-08-07 发布于上海
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锌硼玻璃基低温烧结陶瓷的微波介电性能分析-analysis of microwave dielectric properties of zinc-boron glass-based low temperature sintered ceramics.docx

锌硼玻璃基低温烧结陶瓷的微波介电性能分析-analysis of microwave dielectric properties of zinc-boron glass-based low temperature sintered ceramics

独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师的指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。尽我所知,除文中已标明引用的内容外,本论文不 包含任何其他人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出 贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明 的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名: 日期:年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即: 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许 论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段 保存和汇编本学位论文。 保 密□,在 年解密后适用本授权书。 本论文属于  不保密□。 (请在以上方框内打“√”) 学位论文作者签名: 指导教师签名: 日期: 年 月 日 日期: 年 月 日 华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 PAGE 1 PAGE 1 1 绪论 1.1 引言 半个多世纪以来,信息技术的快速发展极大地改善了人们的生活质量,这很大程 度上归功于集成电路技术的不断创新和发展。半导体集成电路的集成度每 18 个月翻 一番,而相比之下,半导体集成电路器件以外的众多的电子元件,如电容器、电阻器、 电感器、变压器、滤波器和天线等无源元件的发展则相对缓慢,这构成了电子信息技 术发展的一个瓶颈。随着电子信息技术的迅猛发展,电子整机在小型化、便携式、多 功能、数字化及高可靠性、高性能方面的需求愈来愈强烈,对元器件的小型化、集成 化以至模块化要求愈来愈迫切。尤其是,随着移动通信技术的发展,采用手机作为移 动终端无线传输文字和图像的需求正在不断地增大。与此同时,宽带和高频技术更多 地应用于日常生活中。为了实现高频无线通信技术的进一步发展,系统解决方案和硬 件技术发展将在使移动终端多功能化、高性能化和小型化中扮演极其重要的作用。移 动终端会装备有多种功能如:蓝牙、GPS 和无线局域网等,这会导致电路尺寸的增加, 因此将大量高频功能模块和无源器件集成到基板材料中,而不是仅仅贴装在基板材料 表面是很有必要的。多层 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics,低温共烧陶瓷) 技术作为一种电路基板技术,与以往印制电路板技术相比较,最大的特点在于可以将 电路中应用的各种无源器件,如电容、电感、电阻、天线、滤波器、平衡非平衡器、 双工器、天线开关和传输线等完全掩埋在基板材料中,形成一个三维电路结构,并可 以在表面贴装有源器件,研制各种高集成度、低成本的小功率射频与微波功能模块, 减小系统模块的体积、重量,提高系统的可靠性。因此,LTCC 被认为是实现高频应 用领域中元件与基板集成的最有前景的技术之一。 1.2 LTCC 基板材料性能要求 LTCC 技术中对 LTCC 基板材料的性能提出了诸多要求如低的烧结温度、低介电 常数、低损耗、近零谐振频率温度系数和热性能等等,下面逐一说明。 低烧结温度 表 1-1 常见金属的熔点和电阻率 金属种类 Ag Au 熔点(℃) 961 1063 电阻率(μΩ·cm) 1.6 2.2 Cu 1083 1.7 Pd 1552 10.8 Pt 1774 10.6 Mo 2625 5.2 W 3415 5.5 Ni 1455 6.8 Cr 1900 20.0 表 1-1 给出了常见金属的熔点和电阻率。LTCC 是从 HTCC(高温共烧陶瓷技术) 演变而来的。LTCC 与 HTCC 最大的区别是采用的金属材料不同,LTCC 中采用低电 阻率的 Cu,Au,Ag 和它们的合金,而 HTCC 中主要采用 W 和 Mo。导体损耗取决 于其电阻(表面电阻),导体电阻越大,其损耗也越大。采用 Cu,Au,Ag 和它们的 合金进行布线可以将导体损耗降到更低,以满足低损耗、高速、高密度封装的要求。 由表 1-1 可知,所有低电阻率的金属材料的熔点都在 1000℃左右,因此为了能实现与 这些金属材料共烧,LTCC 基板材料必须能在 1000℃以下烧结。 低介电常数 介质的总极化包括三个部分:电子极化、离子极化和偶极子取向极化。这些极化 又有位移式和松弛式两种基本形式。第一种是位移式极化,这是一种弹性的、瞬时完 成的极化、不消耗能量。电子位移极化和离子位移极化属于这种情况。第二种是松弛 极化,与热运动有关,完成这种极化需要一定的时间,并且是非弹性的,因而要消耗 一定的能量,电子松弛极化和离子松弛极化即属此类。微波频率下,松弛极化和偶极 子取向极化的建立跟不上外场频率的变化,故极化以位移式为主。同时,电子位移极 化对介电常数的影响很小,因此在微波频率下的介电特

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