铜引线键合工艺中焊盘内伤失效机理分析和改进-failure mechanism analysis and improvement of bond pad internal injuries in copper wire bonding process.docxVIP

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  • 2018-08-07 发布于上海
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铜引线键合工艺中焊盘内伤失效机理分析和改进-failure mechanism analysis and improvement of bond pad internal injuries in copper wire bonding process.docx

铜引线键合工艺中焊盘内伤失效机理分析和改进-failure mechanism analysis and improvement of bond pad internal injuries in copper wire bonding process

万方数据 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名: 日期: 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的 规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 万方数据 摘要 摘要 目前纯铜引线键合(焊接)技术是半导体封装工艺上应用时间相对较短、技术 还不太成熟但市场占有率越来越高的芯片封装技术。伴随着引线键合各项技术指 标的逐步提高, 传统的金线、铝线已逐步淡出分立器件市场。而纯铜线在芯片引 线键合方面具有良好的机械性能和导电、热性能,用纯铜线替代价格昂贵的金线和 机械性能较差的铝线可缩小焊盘间距,降低器件外观尺寸和提高器件可靠性,但是 铜的表面易氧化而使其可键合性能发生改变。随着引线键合速度不断提高,另一 个纯铜引线键合中的大问题也随之出现:键合熔球击伤焊盘内部的问题。当封装 器件处于失效临界时,器件可以通过毫秒级的瞬间测试,如果器件的可靠性差, 将会发生客户在使用过程中出现间隙性失效或随温度环境发生改变失效的现象。 论文首先介绍了引线键合的基本要素,然后通过对可能在引线键合中导致焊盘 内伤的影响因素--材料、自由熔球形成、键合条件、引线键合头运行轨迹、机器振 动、夹具、劈刀寿命、温度特性、超声波强度及特性等进行了分析,并针对分析 出来的关键因素进行了多因素试验,利用扫描电子显微镜(SEM)观察型貌和能量色 散 X 射线光谱仪(EDX)分析共晶元素,并根据大量的工程试验结果分析得到了 量产过程中最易发生失效缺陷的条件,找出了铜引线键合工艺中导致焊盘内伤的 原因。 本文用大量的工程试验数据和实验结果为深入了解影响第一键合点质量的机 理和规律提供了科学依据。为以后的研究和工程分析提供了宝贵素材,可以为工 艺流程制定及第一键合点缺陷的预防起到引导作用。 关键词:封装技术,纯铜引线,引线键合,焊盘内伤 I Abstract Abstract Current the copper wire bonding technology is the more classical and popular technology in existing semiconductor pckaging process, which also takes the more and more marketing share in semiconductor packaging process. Now the copper wire bonding technology is being developed in china, while the bonding speedup rapidly, smaller package require that wire pitch and length reduce also; the ball size is smaller than before. Under above items, one big issue was exposed, that is the silicon damage under the pad, in our company the silison damage issue impacts negative the reliability of semiconductor component directly in copper bonding process. The paper to analyse and study the defect of the silicon damage by actual engineering experiments in different aspects which are containing the copper wire material, and free air ball forming, ball form bonding, capillary motion, capillary life span defination, lea

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