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Lu2SiO5晶体电子结构模拟研究 　　摘要： 基于密度泛函理论，GGAPBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2SiO5（LSO）晶体的电子结构。详细讨论电子态密度，分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度，结果显示，在禁带中出现了一个新的态密度分布，VO5能产生一个吸收带，该吸收带位于400～500 nm之间。 　　关键词： 第一性原理； 电子结构； 点缺陷 　　中图分类号： O 482文献标志码： Adoi： 10.3969/j.issn2015.02.010 　　Study on electronic properties of Lu2SiO5 crystals 　　XIA Guanfang， LIU Tingyu， YAN Feinan， CHEN Jun 　　（School of Science， University of Shanghai for Science and Technology， Shanghai 200093， China） 　　Abstract： Electronic properties of Lu2SiO5 crystals with oxygen vacancy and oxygen interstitial were investigated using the density functional theory with the generalized gradient approximation with PerdewBurkeErnzerhof（GGAPBE）. The electronic density of states is described in detail. The electronic density of states with oxygen vacancy is analyzed. The results show that oxygen vacancy can induce extra states in the band gap. VO5 can bring a new absorption band which is fit well with the 400～500 nm absorption band. 　　Keywords： first principle； electronic structures； point defects 　　引言自20世纪80年代，随着X射线和正电子湮灭扫描技术的诞生，使得闪烁晶体的应用领域从高能物理扩大到了核医学方面[1]。传统的闪烁晶体NaI∶Tl，BGO等已不能满足市场的需求，因此对闪烁晶体有了更高的要求。20世纪90年代，以铈激活的新一代无机硅酸盐稀土闪烁晶体问世，其优异的性能使其展现出了广阔的应用前景。Gd2SiO5（GSO）、Y2SiO5 （YSO）和Lu2SiO5 （LSO）因在可见光和紫外波段没有吸收带，具有成为优良闪烁晶体的潜质而引起人们的广泛关注。1983年，Takagi和Fukazawa研制出的GSO晶体是一种典型的高原子序数晶体，其具有较短的衰减时间、较高的输出和抗辐照能力强等特点，可用作闪烁晶体而引起了人们的关注[2]。然而，GSO晶体存在（100）面解理，且发光不够强，严重影响了其闪烁特性[3]。但对GSO晶体的研究使人们的目光集中到了Ce离子激活的稀土硅酸盐晶体上。1990年，Melcher和Schweitzer成功生长出了LSO晶体，其具有比GSO更高的原子序数，发光强度更大和衰减时间更短，综合性能较好的氧化物[46]。硅酸镥晶体为高原子序数的稀土正硅酸盐晶体，是综合性能优良的无机闪烁晶体。它具有高密度、高光输出特性，衰减时间短，时间分辨率高，抗辐照硬度高，无潮解等优异性能。另外，LSO晶体的发光波长为420 nm，适用于高能γ射线探测器和γCT仪器[7]。LSO闪烁晶体在核医学、高能物理、核技术、安全监测及石油勘测等领域具有广泛的应用[8]。目前有关LSO晶体的缺陷的理论研究报道还很少，为了提高LSO晶体的闪烁性能还需要对晶体的本征缺陷开展进一步的研究。近年来，由于计算的理论和技术的进步，计算机模拟已经广泛地应用于各种材料的研究并成为一种特殊的实验手段，为实验提供了理论依据。因此本文模拟计算了完整的LSO晶体和含氧空位晶体的电子结构和物理性质，分析了LSO晶体中可能存在的色心，了解了这些缺陷的存在对晶体闪烁性能的影响，对后续的研究具有一定的理论意义。1计算模型和计算方法LSO晶体为稀土正硅酸盐类晶体，为单斜晶系，空间群为C2/c（NO.15），晶胞中包含64个原子，单胞分子数Z=8，晶格常数为a=1.427 74 nm，b=0.663 98 n