清洗技术和平滑层对极紫外多层膜基底粗糙度的影响及表面表征技术研究.pdfVIP

图表目录 表5．6使用不同预处理方法对伏法玻璃基底进行清洗的样品编号、清洗方法………。84 表5．7正交法实验第一轮实验结果………………………………………………………。84 IV 第1章绪论 第1章绪论 1。1研究背景 在电子信息产业发展过程中，集成电路技术发挥着越来越重要的作用。该 技术在国家经济利益和国家安全中有着很重要的地位【ll，从而引起各国政府的高 度重视。光刻技术是集成电路生产技术的核心和关键，所以倍受关注。人们普 遍认为，极紫外光刻是微电子行业制造线宽45rim和32nm集成电路芯片最有前 途的技术，极紫外波段多层膜是这项工作中的关键元件【2一】，正在美国、日本、 欧洲等国得到快速发展，希望能够在未来几年内达到实用。Mo／Si多层膜是目前 研究最广泛、最深入细致的多层膜材料组合[41，工作波段范围为12．4～30nm， 其反射率的高低是多层膜研究水平的标志之一，Mo／Si多层膜反射镜应用于极紫 外光刻、极紫外太空观察、等离子体诊断和同步辐射等许多领域[5．6]o 与其它光学相比，极紫外和软x射线光学的发展更依赖于技术的进步，这 主要表现在光学加工、光学基底的清洗、镀膜和检测等技术都需要实现原子量 级的精度和控制。近几年，在各种应用的推动下，尤其是在极紫外光刻巨大商 业利润的牵引下，世界各国都在相关技术的研究上投入了大量人力和物力，使 极紫外和软x射线光学取得了重大进步‘7一】。 我国也在相关技术的研究上取得了一定的进展，其中包括超光滑表面的加 工、基片的清洗、镀膜前后使用的检测技术等。目前，国内制备的Mo／Si多层 膜工作波长在13rim附近，反射率最高达到65％左右，为了取得更高反射率(接 近国际水平70％)，我们深入开展了对于超光滑表面清洗的预处理工作以及薄膜 制备前后的检测方法，从而推动极紫外和软x射线光学的进一步发展。 近几十年来，随着超精密加工技术和纳米薄膜制备技术的提高，人们在理 论(如各种材料的光学常数、膜系结构设计和性能模拟计算等)、制备技术(电 子束蒸发离子束辅助抛光技术、各种溅射技术)、工艺及检测等方面均做了深入 细致的研究，取得了显著的成果。在软x射线波段内波长较长处，实际制备的 多层膜反射镜的反射率已接近理论计算值，而在短波长处，制备反射率远远低 第l章绪论 于理论值，其中主要的原因有以下几个方面： 首先，由于软x射线多层膜系中每层膜的厚度仅有几个原子层，这在实际镀 膜过程中是很难控制的。即使在很高的膜厚控制精度下，也不能保证膜系中所 有的膜层厚度都与理论值一致，界面扩散层或反应层的存在不但使多层膜的厚 度与理论值产生偏差，还会使材料的光学常数产生变化，使整个界面厚度产生 无规律的起伏，这些都会严重地影响多层膜的性能。同时由于软x射线波段内所 有的材料都有吸收，在一定厚度的多层膜系中，有效的膜层数仅有数百层或数 十层。因此在相同的膜厚控制精度条件下，软x射线波长越短，镀膜过程中产生 的膜层厚度的偏差对多层膜的影响越严型91。 其次，基片的表面粗糙度。D．GStearns利用标量散射理论对非理想多层膜 系的反射特性进行了理论分析，存在粗糙度的多层膜实际的反射率由 Debye—waller因子‘10】描述： R／R。：exp(一半) ^ (1．1) 其中凰为理想多层膜的反射率，o为粗糙度，多层膜的反射率随着(耐九)2的 增加会呈指数形式下降(其中a表示膜系中的表界面粗糙度的均方根值)，波长 越短，粗糙度的影响越大。所以，要在当前技术水平下生产出低成本、高正入 射反射率的多层膜，就必须寻找能够有效降低表面粗糙度的方法。 而超薄薄膜生长过程中，在某种程度上，膜层的表面是基片表面的再现， 也就是说，在相同的工艺条件下，基片的表面粗糙度大小决定了整个膜系中的 表界面粗糙度的大小。由此可知，对于膜系的了解，必须从膜所依托的基底表 面的本性开始，光学基底表面的粗糙度不但改变光学薄膜对基底的附着力，