第三篇章 神经元膜的特性.ppt

小结 神经元膜内外存在不同离子的浓度差异，它是由离子泵建立和维持的。这一过程需要消耗大量能量（分解ATP）。静息时细胞内高钾低钠钙，胞外则相反。 静息条件下，由于钾通道的存在而对K有高通透性，K顺浓度梯度跨膜迁移使得神经元膜内负电荷增加，并最终达到其平衡，（电压驱动力与浓度驱动力相等），此时的膜电位便是K的平衡电位。 1、平衡电位是一种特殊状态时的膜电位，各种离子有相同的平衡电位。2、静息电位是指神经元静息时的膜电位，主要是K的平衡电位。 * 引言 神经元如何实现信息的电传导呢？神经元通过产生动作电位来传导电信号的。静息状态下胞内电位相对于胞外为负（-65mV)，动作电位是这一电位的快速翻转，即在瞬间使胞内电位为正。 第二节 神经元膜的动作电位 * 一、动作电位的特性 二、动作电位的机制—离子跨膜运动 三、动作电位的传导 * 动作电位：神经元膜传递电信号 神经元静息状态下，即不产生动作电位时，通过插入胞内微电极可以测定细胞膜内电位（Vm,膜电位）。此时电压表的读数稳定在-65mV，也就是静息电位。 动作电位产生程中，膜内电位短暂地变为正电位。这个过程非常之快，比眨眼快100倍。用示波器（一种特殊的电压计）可以记录到膜电位随时间的变化。 动作电位形状象一个陡峭的山峰，可分为两部分，即上升相和下降相。 * 一、动作电位的特性 动作电位的记录 细胞外电极 细胞内电极 * 单个动作电位的上升相和下降相 膜电位 Vm 时间 * 二、动作电位的机制—离子跨膜运动 静息时，神经元膜内为负，膜外为正，即静息电位，约为-65mV,这种电荷不对称状态称为极化状态。 膜内的负电位减小, 膜内与膜外电位差值减小,称为去极化。 1、物理因素。如牵张刺激导致钠离子进入胞内，引起去极化； 2、化学因素。如化学物质释放导致钠离子进入胞内，引起　　去极化； 3、人为的用微电极向胞内注入电流直接使神经元去极化。 只有负电位减小到阈值（threshold，触发动作电位的膜电位水平，-40mv）时，即去极化达到或超过阈值时,才触发动作电位。 * 向细胞内注入电流导致动作电位的产生 注入电流 * 注入电流引起膜内负值变小——去极化达到或超过阈值才会引发动作电位 * * 动作电位是指可兴奋细胞受到刺激时在静息电位的基础上产生的可扩布的电位变化过程。动作电位由峰电位（迅速去极化上升支和迅速复极化下降支的总称）和后电位（缓慢的电位变化，包括负后电位和正后电位）组成。峰电位是动作电位的主要组成成分，因此通常意义的动作电位主要指峰电位。动作电位的幅度约为90~130mV，动作电位超过零电位水平约35mV，这一段称为超射。神经纤维的动作电位一般历时约0.5~2.0ms，可沿膜传播，又称神经冲动，即兴奋和神经冲动是动作电位意义相同。 动作电位产生机制 A：静息时：钾通道开放，钠通道关闭，达到钾平衡电位 B：上升相，钠通道开放，钠离子内流，膜电位上升 细胞膜内离子状态:高钾低钠 钠内流 * 动作电位产生机制 C：下降相：钠通道关闭，钾离子外流，膜电位下降 D：恢复静息电位：钾通道重新开放，钾平衡电位 钾外流 细胞膜内离子状态:高钾低钠 * 动作电位产生的关键——钠通道短暂开放 动作电位的上升相是由于钠通道打开，钠离子内流引起的膜电位上升。而下降相是由于钾离子在电压梯度驱动下外流，而使膜电位恢复，从而形成了一个脉冲峰。 前面讲到去极化能引起动作电位产生，而动作电位的产生是首先钠离子内流引起的。换句话说，去极化先导致了钠通道的开放，引起钠离子内流。 这种随着电压改变而开放关闭的钠通道，称之为电压门控钠通道。当去极化达到阈值时，电压门控钠通道就打开，钠离子内流引发动作电位。 现在的问题是：通道的打开为什么能受电压的控制？ * * 离子通道：是神经系统中传送信号的基本元件。神经元信号活动取决于膜电位的迅速变化。离子通道的基本特性是对离子的特异性和对调节的易感性。（不同离子通过不同通道，通道接受不同刺激的调节） 被动的非门控性通道：通道总是处于开放状态，不受外界 信号控制。 主动的门控性通道：电压门控通道 化学门控通道 电压门控钠通道 由多个氨基酸组成的蛋白质长链。链反复穿过细胞膜，开成四个部分，每个部分又由6个α螺旋组成，分别为S1-S6。S4为电压感受器，S5和S6之间的短肽参与构成孔道，起到闸门的作用，可折入胞浆内参与介导去极化过程。I和II结构域之间含有多个蛋白激酶的磷酸化