蔡氏混沌电路简介——Chuas-Circut.pptxVIP

Chuas circuit 学生：fany.2029@ 2018-8-23 混沌电路引言 混沌电路常用微分方程 蔡氏电路简介及分析 蔡氏电路矩阵实验室实现 蔡氏电路后续发展 XX大学2017级学术研究生 传统与现代非线性电路区别 2018-8-23 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 何为“混沌” XX大学2017级学术研究生 2017 1983 2018-8-23 混沌现象 被认为是需要消除的坏现象 20世纪 20年代 震惊电子学界 蔡氏电路的提出 许多电子工作者投入了精力予以研究 非线性电路新高潮 混沌同步电路 极有可能用于保密通信与军事目的 1990 发展至今 各种混沌电路 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 林森混沌电路 最简单的混沌电路 激励响应 改变输入信号的振幅值 U 观察电路中回路电流 i 混沌区 永不重复的振荡， 电路进入了混沌状态 注意！一个电路能够产生混沌现象的最基本条件是电路中有非线性元件 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 1983年美国贝克莱(Berkeley)大学的蔡少棠教授发明 因其简洁性和代表性而成为研究非线性电路中混沌的典范 由线性电阻﹑电容、电感和非线性“蔡氏二极管”组成的三阶自治电路 满足以下一种能够产生混沌的条件： （a）非线性元件不少于一个 （b）线性有效电阻不少于一个 （c）储能元件不少于三个 简介 蔡少棠 Leon O. Chua June 28, 1936 Age 81 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 状态方程 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 XX大学2017级学术研究生 蔡氏二极管DP曲线 G|Ga|或G|Gb| 区域电路的平衡点 |Gb|G|Ga| 区域电路的平衡点 2018-8-23 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 Vc1~Vc2 平面相图 Vc1~IL 平面相图 Vc2~IL 平面相图 典型蔡氏电路双涡旋相图 典型蔡氏电路信号波形 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 三维相图产生的三个平面相图 典型蔡氏电路双涡旋相图 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 R很大的情况，电路状态变化中v1与v2相图为稳定焦点，呈蝌蚪形，为衰减振荡，这就是不动点。 R逐渐减小至1.911kΩ时，等幅振荡 R逐渐减小至1.910kΩ时，增幅振荡开始 R为1.918 kΩ～1.820kΩ，周期2 R为1.819 kΩ～1.818kΩ，周期4 R+1.787kΩ，周期8；R=1.786kΩ，周期16 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 R继续减少至1.750k 为单涡旋图形，这是电路第一次进入单涡旋混沌，为洛斯勒形混沌吸引子 R继续减小会出现周期3、周期6、周期12等，并第二次进入单涡旋混沌。 这样继续周期—混沌—周期—混沌地演变，直至洛斯勒形混沌结束 R减少至R=1.7165kΩ时演变成双涡旋图形。基本范围是R为1.716kΩ～1.300kΩ。 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 双涡旋混沌相图的演变中也有各种“周期”出现 例如： R=1.349kΩ时出现“周期5” R=1.324kΩ时出现“周期3”等 R=1.320kΩ～1.300kΩ，无波形，有一个短暂的不动点 R=1.200kΩ～1.000kΩ时，10.0ms之前不动，之后缓慢增幅振荡从而达到最大振幅，呈单叶周期 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 蔡氏电路相图中看到的混沌演变 XX大学2017级学术研究生 2018-8-23 function [dy] = chua(t,y) dy=zeros(3,1); m0=-1.2; m1=-0.6; bp=1.0; alfa=10.0; beta=15.0; dy(1)=alfa*(y(2)-y(1)-(m1*y(1)+0.5*(m0-m1)*(abs(y(1)+bp)-abs(y(1)-bp)))); dy(2)=y(1)-y(2)+y(3); dy(3)=-beta*y(2); set(0,RecursionLimit,2000);%设置递归深度 end clear all; [T,Y]=ode45(chua,[0,300],[0.1,0.1,0.1]);%解微分方程 figure(1); plot3(Y(:,1),Y(:,2),Y(:,3),-); xlabel(x); ylabel(y); zlabel(z); title(x-y-z立体相图); figure(2);