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电子元器件加速寿命试验方法的比较 刘婧，吕长志，李志国，郭春生，冯士维 （北京工业大学 电子信息与控制工程学院可靠性实验室，北京 100022） 1 引言 加速寿命试验分为恒定应力、步进应力和序进应力加速寿命试验。将一定数量的样品分成几组，对每组施加一个高于额定值的固定不变的应力，在达到规定失效数或规定失效时间后停止，称为恒定应力加速寿命试验（以下简称恒加试验）；应力随时间分段增强的试验称步进应力加速寿命试验（以下简称步加试验）；应力随时间连续增强的试验称为序进应力加速寿命试验（以下简称序加试验）。序加试验可以看作步进应力的阶梯取很小的极限情况。 加速寿命试验常用的模型有阿伦尼斯（Arrhenius）模型、爱伦（Eyring）模型以及以电应力为加速变量的加速模型。实际中Arrhenius模型应用最为广泛，本文主要介绍基于这种模型的试验。 Arrhenius模型反映电子元器件的寿命与温度之间的关系，这种关系本质上为化学变化的过程。方程表达式为 式中：为化学反应速率；E为激活能量（eV）； k为波尔兹曼常数0.8617×10-4 eV/K；A为常数；T为绝对温度（K）。式⑴可化为 式中：式中：F0为累计失效概率； t(F0)为产品达到某一累计失效概率 F(t)所用的时间。算出b后，则 式⑵是以Arrhenius方程为基础的反映器件寿命与绝对温度T之间的关系式，是以温度T为加速变量的加速方程，它是元器件可靠性预测的基础。 2 试验方法 2.1 恒定应力加速寿命试验 目前应用最广的加速寿命试验是恒加试验。恒定应力加速度寿命试验方法已被IEC标准采用[1] 。其中3.10加速试验程序包括对样品周期测试的要求、热加速电耐久性测试的试验程序等，可操作性较强。恒加方法造成的失效因素较为单一，准确度较高。国外已经对不同材料的异质结双极晶体管（HBT）、CRT阴极射线管、赝式高电子迁移率晶体管开关（PHEMT switch）、多层陶瓷芯片电容等电子元器件做了相关研究。 Y.C.Chou等人对GaAs 和InP PHEMT单片微波集成电路（MMIC）放大器进行了恒加试验 [2]。下面仅对GaAs PHEMT进行介绍，InP PHEMT同前。对于GaAs PHEMT MMIC共抽取试验样品84只，分为三组，每组28只，环境温度分别为 T1= 255 ℃，T2=270 ℃，T3＝285 ℃，所有参数均在室温下测量。失效判据为44GHz时，|Δ S21|1.0 dB。三个组的试验结果如表1所示，试验数据服从对数正态分布。表中累计失效百分比、中位寿命、对数标准差（σ）均由试验数据求得。其中累计失效百分比＝每组失效数/（每组样品总数＋1）；中位寿命为失效率为50%时的寿命，可在对数正态概率纸上画寿命-累计失效百分比图得出： σ≈lgt（0.84）-lgt（0.5）。 由表1根据恒定应力加速寿命试验结果使用 Origin软件可画出图1。图中直线是根据已知的三个数据点用最小2乘法拟合而成，表示成 y=a+bx。经计算 y＝-12.414+8.8355x， ? 代入沟道温度T0 ＝125 ℃，求其对应的x0， x0=1000/（273+125）=2.512562 MTTF=lg-1y（x 0）=6.1×109h 拟合后直线的斜率b为8.8355×10 3，则激活能 Ea=2.303bk ≈1.7 eV 因此，沟道温度为125 ℃时，估计GaAs的MTT大于1×108 h，激活能为1.7 eV。 2.2 步进应力加速寿命试验步加试验时，先对样品施加一接近正常值的应力，到达规定时间或失效数后，再将应力提高一级，重复刚才的试验，一般至少做三个应力级。步进应力测试条件见表2。 Frank Gao和Peter Ersland对SAGFET进行了步加试验[3]。温度从150～270 ℃划为六级，每70 h升高25 ℃；沟道温度约比环境温度高30 ℃。总试验时间约400 h。根据Arrhenius模型[4] 式⑶可化为 将式⑷看作 y=a+bx， 式中：，则根据试验数据做温度的倒数——某参数改变量（本试验选取Idss，Ron 等），即关系。拟合后，斜率b可直接读出，乘以 k可得激活能。本文估算出Ea=1.4 eV，再由 MTTF（T0）=MTTF（T1）×exp[Ea（T1- T0）/kT1T 0] 由试验得到某一高温时器件的MTTF（ T1），进而可得到样品在125 ℃时的寿命大于107 h。这个结果和常应力测试结果相吻合。 2.3 序进应力加速寿命试验序加试验的加速效率是最高的，但是由于其统计分析非常复杂且试验设备较昂贵，限制了其应用。这方面的报道也较少。 北京工业大学李志国教授报道了微电子器件多失效机理