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半导体在航空工业上应用 　　半导体，由于它具有与导体(电导率：105－106欧姆－1厘米－1)和非导体(电导率：10－15－10－10欧姆－1厘米－1)不同的“性格”因此在国防、通讯、自动化等方面开辟了新的广泛的用途，期待着更深入的探索。 　　常用的半导体材料有锗(Ge)、硅(Si)、及金属的氧化物、硫化物、金属间化合物等等。 　　 　　一、半导体物理基础的一般介绍 　　 　　(一)半导体的导电机构 　　在单个原子中，电子不停地绕核运动，其中最活泼的，是外围电子，称作价电子。在绝对零度时，这些电子在原子中受到原子核的束缚力而有一定的分布。这时，整个原子具有一定的能量状态，称作正常态或基态，如图1。当温度增加时(或其他条件)，价电子受到外界刺激在一定程度上克服原子核的作用力而重新分布。这时，整个原子的能量发生变化，而具有较高的能量状态，称激发态。因此，原子的能态是随着电子分布状态的变化而变化的。这种变化可以用能级图来表示。能级可以用阶梯来比喻。在绝对零度时，价电子处于阶梯最下层，原子处于基态能级。当外界条件变化，电子吸收能量由阶梯的最下层，跳到上一层时，原子处于激发态能级。 　　 　　 　　图1 　　当相当多的原子(例如硅)结合而成半导体时，由于各原子核电场的相互作用，使每个原子都给出它外围的价电子而形成共价键(如图2)。硅晶体是具有四重方向的共价键。在绝对零度时，既无过多的电子，又无因缺少电子而剩下的空位(称空穴)。键中的电子都牢固地被束缚在原子上，不能自由行动。因此，在绝对零度时，半导体具有非导体的性质。从能级观点来看，当原子结合成半导体时，原子中的价电子由于受到周围原子的影响，产生能量的变化，使原子的基态能级分裂成一系列相距极近的能级，这可看作是连续的，因而称作能带(图2)。在绝对零度时这能带被电子充满，所以称作满带。同理原子激发态能级也分裂成一系列相距极近的能级，而形成能带在绝对零度时，没有电子填入，称作导带。满带与导带之间的区域，因没有电子存在，称作禁带。两带间的能量差值，称禁带宽度。在此情况下，若有外电场作用于半导体，也只能使电子们在满带中相互更换所占据的能级，而不能越过禁带到达导带成为自由电子。 　　 　　图2 　　当外界条件刺激时(例如温度增加，或强光照射)，满带中的电子吸收能量从满带跃迁到导带中成为自由电子。那么： 　　(1)自由电子可以在外电场的作用下，沿电场相反的方向运动如图3，而形成电子导电现象。 　　 　　图中1号电子因受光的激发而成自由电子，沿电场的反方向运动。 　　2号电子去填充1号电子留下的空穴，而形成空穴沿电场方向运动。 　　 　　图中1号电子因受光的激发而成自由电子，沿电场的反方向运动。 　　2号电子去填充1号电子留下的空穴，而形成空穴沿电场方向运动。 　　图3 　　(2)电子跑掉后，剩下了自由能级(或空穴)，那么它周围的电子在电场力作用下来填充这个空穴，这样一个个电子像“接力赛”似地陆续填充的结果，就形成空穴沿电场方向运动，这称空穴导电。 　　在半导体中，总电流是这两种混合导电的结果，这种导电称本征导电。 　　由此可知，要使半导体导电，首先要使满带中的电子被激发到导带中去。这个过程称作“激活”。激活后的电子或空穴称作载流子。因他们在外电场的作用下可以参与导电，所以半导体的导电性能取决于： 　　(1)禁带宽度。(即被激活的难易程度，宽度越大，越难被激活)。 　　(2)外界条件(温度……或其他)。(激活的载流子愈多则导电性能越强)。 　　利用条件(2)我们可以通过半导体将热的变化，光(或其他)的变化转为电流的变化，以应自动控制系统的需要。 　　(二)杂质对于半导体导电性能的影响 　　在半导体中加入少量的杂质，那么原来没有能级存在的禁带中就产生了新的附加能级。如果加入的是高价元素，那么在共价键形成后还富余电子。这时新的附加能级位于禁带的上缘(图4)称作施主能级。因为这些能级靠近导带，只要外界条件稍加刺激，电子即从这里跳到导带中而形成电子导电。这种半导体是电子型半导体，称n型半导体。如果加入的是低价元素，那么在共价键形成后还富余空穴，这时附加能级位于禁带的下缘，称作受主能级。因为它们靠近满带，当外界条件稍加刺激，满带中的电子很容易跃迁到这些空穴中，因而满带中富于空穴，而形成空穴导电，这种半导体是空穴型半导体，称P型半导体。 　　 　　图4 　　因此我们可以用加杂质的方法来控制半导体的类型。 　　 　　二、半导体在航空工业上的应用 　　 　　(一)在无线电技术上的应用(半导体制成晶体管) 　　半导体可以制成各种无线电电子机件以代替真空管，并可在火箭、导弹等不便应用真空管的设备上，开辟得到了广泛的应用。现略述于下： 　　1.