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半导体材料在照明技术领域应用 　　我国LED技术相对落后，国内企业专利申请量低，因此，国内企业应当加大对半导体照明技术的研发投入，及时申请国内外专利。同时，要加强对国外竞争对手的技术了解和跟踪，特别是对已公开专利进行分析，及时开展二次开发和技术再创新。 　　 　　半导体照明技术涉及衬底技术、外延技术、芯片结构与制作技术、封装技术和应用技术5个技术分支以及与其相关的封装材料和荧光材料领域。目前，半导体材料在照明技术领域的应用主要是发光二极管(LED)照明技术。发光二极管(LED)是近年来迅速崛起的半导体发光器件。 　　1993年以前，半导体照明技术发展缓慢。随着1993年日本日亚公司高亮度、大功率蓝光发光二极管的研发成功，半导体照明产业进入了高速发展期。由于受发光亮度和制造成本的限制，白光LED目前还不能满足照明市场的需求。半导体照明技术重新经历了从封装到衬底、外延和芯片结构，然后再回到封装的发展过程。具体发展历程如下。 　　 　　1、单色光LED的种类及其发展历史 　　最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初，当时所用的材料是GaAsP，发红光：20世纪70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光、黄光和橙光；20世纪80年代初，出现了GaAIAs的LED光源；20世纪90年代初，发红光、黄光的GaAIInP和发绿、蓝光的GalnN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。 　　 　　 　　2、白光LED的开发 　　1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成的。GaN芯片发蓝光，高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光。LED基片发出的部分蓝光被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到白光。 　　 　　3、国内白光LED产业与超高亮度LED现状 　　国内LED产业的发展从20世纪70年代开始，主要以GaP、GaAIAs材料为主，开展气相、液相外延生长、芯片制造和后工序环氧封装，做出了以GaP为主的红、橙、黄、绿色LED，并开发出GaAIAs高亮度红，橙色LED。 　　在红外LED方面，有中国电子科技集团公司第13所、上海冶金所、中国电子科技集团公司第44所等单位进行研究开发，主要是以GaAs和GaAIAs材料为主，开发出多种近红外LED。 　　超高亮度LED主要指AIGalnP的红、橙、黄色LED，GaN基蓝、绿、紫和紫外光LED。到目前为止，国内四元系AIGalnP的红、橙、黄色芯片已经可以批量生产，估计每年可提供8～10亿只；GaN基蓝、绿色芯片已可以小批量生产，估计每年可提供3亿只左右；白光LED(小功率)封装产品已批量生产，芯片以进口为主，估计年产约为5～8亿只。 　　MOCVD系统和封装设备是我国发展半导体照明产业的重要瓶颈之一。目前，中科院半导体所、中国电子科技集团第48研究所和南昌大学等单位已经在政府有关计划的支持下开始MOCVD系统的开发，并取得了阶段性成果；中国电子科技集团第45研究所等单位也在着手后封装设备(如粘片机等)的投资开发及产业化。 　　我国台湾省是世界上开发生产各类LED器件的主要地区之一。继国联光电研制成GB大功率AIGalnP LED之后，光鼎电子也成功地开发了白光与各种色光的功率型LED器件，并投入了批量生产。这类器件在不附加额外热时，可通过150mA的工作电流，红、黄、蓝、绿光的光通量分别为4-61m与2-41m。 　　 　　LED专利现状分析 　　 　　1、行业发展前景分析 　　从图1可以看出，自2000年以来，国内发光二极管专利数量呈逐年递增趋势，并且专利量上升速度明显加快，说明国内LED产业迅速发展，市场不断扩大。各相关企业也在积极申请专利保护，最大限度地保护自身利益，为企业的进一步拓展奠定牢固的基础。 　　 　　2、技术构成(国际专利分类IPC)分析 　　国际专利分类法是一种国际统一化、标准化的管理和使用专利文献的分类方法。它是国际间长期合作的结果，也是当今专利制度趋向国际化和统一化的必然产物。目前，世界上绝大多数国家都采用了国际专利分类法。对IPC的统计分析，将能完整、系统、科学地揭示专利技术的构成和发展趋势。 　　国内发光二极管专利主要集中在如下技术领域：制造或处理发光二极管或其部件的方法或设备(H01L33/00)、有机发光二极管(H01 L51/50)、将发光二极管用于光源(F21S4/00)、将发光二极管用于指示装置(G09F9/33)以及制造电致发光光源的电路控制(H05837/02)等等。 　　 　　从图2中可以看出，该技术目前主要集中在H01L33/00分类，即制造或处理发