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半导体激光器应用及适用性探讨 　　摘 要：如今，激光器的研究的理论体系已趋于成熟，应用上也呈现出其性能的实用性和功能的多样性。半导体激光器作为激光器应用领域的中流砥柱，以它优良的性质被广泛采用，所以对于半导体激光器的适用性的研究具有实际的意义。本文意在通过半导体激光器的原理，分析半导体激光器的突出性质，结合现阶段的应用实例，梳理半导体激光器应用的发展历程，探讨其可发展的适用范围。 　　关键词：激光器应用；半导体激光器；适用性 　　1 半导体激光器的原理 　　1.1 半导体激光器的工作原理 　　半导体激光器（Semiconductor Laser），是利用半导体内原子跃迁产生光子的受激辐射光放大过程的器件，包括光振荡器以及光放大器1。 　　受激辐射（stimulated emission）是：高能级的原子收到能量为 的光子激励，从高能级跃迁到低能级，辐射出另一个与激励光子完全相同的光子2。如图： 　　这里h是普朗克常量，是光的频率。 　　半导体中的电子能级不是分立的，而是形成能带，当导带充斥电子而价带存在大量空穴时，如图： 　　受激辐射时只要满足入射光的能量大于带隙能量时，即满足受激辐射条件，产生电子跃迁和光子辐射。 　　1.2 半导体激光器与其他激光器的区别 　　工作原理上，半导体激光器和其他激光器并无区别，而要实现实际辐射光放大，则需满足粒子数反转和原子分子阈值条件，即高能带的粒子数多于低能带，同时反转数产生的增益又大于损耗3。因此半导体激光器和其他激光器的区别主要反映在能级上，例如气体固体激光器是依赖于其分离能级间的跃迁。而半导体激光器依赖于一种晶体结构构造的能带间跃迁，即导带和价带的跃迁。 　　1.3 半导体激光器的理论发展 　　由上可知，半导体激光器理论的发展主要是基于器件结构的发展。 　　总的来说，器件的结构满足产生激光条件即需要保证：1、P-N结电子与空穴复合产生光增益；2、正偏结提供载流子；3、腔体结构形成F-P谐振腔保持振荡。 　　最早的半导体激光器是同质结的，这种结构的特点类似于普通P-N结，它的阈值电流密度高，需要达到105A/cm2， 并且只能在液氮的低温下进行脉冲工作。 　　1967年，采用GaAs/AlGaAs的单异质结构，采用高带隙势垒的阻挡作用4，阈值电流密度降低了一个数量级光功率提高了四倍。 　　1970年，美国Bell实验室报道采用GaAs/AlGaAs的双异质（DH）结构的0.89室温连续工作激光器5。 　　二十世纪八十年代，低损耗窗口的发现使得研究方向向改变波长范围转移，1988年中科院半导体所实现了InGaAsP/InP DH 长波长多模激光器的室温连续工作，激光波长为1.55。同时期发展的半导体激光器还有长波长单模激光器和量子阱能带半导体激光器6。 　　二十世纪九十年代开始，基于量子阱能带激光器的设计，晶面解理技术的发展，半导体激光器的研究偏向于腔镜结构的设计。1997年，日本日亚公司InGaN多量子阱（ MQW s）蓝光激光器实现室温连续波运行7。 　　2 半导体激光器的性质 　　半导体激光器的工作特性主要是讨论阈值电流、方向性、量子效率、光谱特性、纵横摸特性。 　　半导体激光器由于晶体结构的关系，阈值电流受到晶体掺杂浓度、谐振腔损耗、温度和材料节型的影响。 　　它的方向性差，发散角可达到20°到30°。 　　量子效率受温度影响明显，低温量子效率大。 　　输出光谱在研究过程中质量不断提高，由于能带原理的影响，早期的半导体器的单色性不佳。 　　纵模在形成过程中会出现纵模抑制，动态单纵模频率可由调制电流调节。而每个纵模都对应多个横模，横模的基模亮度高、光斑小。 　　基于上述的工作特性，我们可知，半导体激光器的性能特点主要有：体积小、质量轻、可控制其他参数调节阈值电流、量子效率较高，然而光束方向性差、单色性差、相比其他类型激光器功率偏低。 　　3 半导体激光器的应用 　　由于以上对半导体激光器性能的探讨，以及实践中已采用的技术，我们可以大致根据半导体激光器的性能特点对应用进行一个大致的分类： 　　体积小、质量轻：可用于军工领域如雷达、导弹、等机载设备上的激光信号探测、环境扫描隐蔽侦察等。在医学上，由于它这一性质，加上不需要高电流或外循环冷却水，可用于医疗救助环境，如手术室、门诊等。 　　功率偏低：因为它体积小的缘故，功率偏低的情况下，常用来做其他激光器的泵浦光源，例如0.78到0.86波段的AlGaInP宽带多模激光阵列被用作固体激光器的光泵浦，0.98波段的InGaAs基模脊状单管发射的激光被用作掺铒光纤放大器（EDFA）和光纤激光器的泵浦光源。 　　波长范围可调节：对于光通信领域，半导体激光器有波长范围宽、增益带宽宽、可