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浅析引线键合 　　摘要：随着集成电路的发展, 先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入/ 输出畅通的重要作用,是整个后道封装过程中的关键。引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位, 目前所有封装管脚的90%以上采用引线键合连接[1]。 　　关键词：集成电路 引线键合方向发展 　　Abstract: with the development of integrated circuits, advanced packaging technology constantly changing to adapt to all kinds of semiconductor of new technology and new material requirements and challenges. Semiconductor package internal chip and the external pin and the connection between the chip having established chip and external electrical connection, ensure the chip and outside between the input / output smooth important role, the whole package after the road is the key process in the. Wire bonding technology to achieve a simple, low cost, suitable for various packaging forms and in a connection mode in the dominant, all current package pins above 90% using a wire bond connection [1]. 　　Key words: integrated circuit lead wire bonding direction 　　中图分类号：TN108.7 文献标识码：A 文章编号： 　　 　　 　　 　　目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展，另一方面朝着轻薄短小的方向发展，对封装工艺圆片研磨、芯片粘贴、引线键合都提出了新的要求。其中引线键合是很关键的工艺，键合质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性。根据器件封装形式的不同，选择合适的引线，合适的键合方式，对器件电性能和可靠性也是至关重要的。 　　引线键合工艺分为3 种：热压键合，超声波键合与热压超声波键合[2～3]。 　　热压键合是引线在热压头的压力下，高温加热 (250 ℃)金属线发生形变，通过对时间、温度和压力的调控进行的键合方法。键合时，被焊接的金属无论是否加热都需施加一定的压力。金属受压后产生一定的塑性变形，而两种金属的原始交界面处几乎接近原子力的范围，两种金属原子产生相互扩散,形成牢固的焊接。 　　超声波键合不加热(通常是室温)，是在施加压力的同时，在被焊件之间产生超声频率的弹性振动，破坏被焊件之间界面上的氧化层，并产生热量，使两固态金属牢固键合。这种特殊的固相焊接方法可简单地描述为:在焊接开始时，金属材料在摩擦力作用下发生强烈的塑性流动，为纯净金属表面间的接触创造了条件。而接头区的温升以及高频振动，又进一步造成了金属晶格上原子的受激活状态[4]。因此，当有共价键性质的金属原子互相接近到以纳米级的距离时，就有可能通过公共电子形成了原子间的电子桥，即实现了所谓金属“键合”过程。超声波焊接时不需加电流、焊剂和焊料，对被焊件的理化性能无影响，也不会形成任何化合物而影响焊接强度，且具有焊接参数调节灵活，焊接范围较广等优点。 　　热压超声波键合工艺包括热压键合与超声波键合两种形式的组合。就是在超声波键合的基础上，采用对加热台和劈刀同时加热的方式，加热温度较低 (低于Tc 温度值，大约150 ℃)，加热增强了金属间原始交界面的原子相互扩散和分子(原子) 间作用力，金属的扩散在整个界面上进行，实现金属线的高质量焊接。热压超声波键合因其可降低加热温度、提高键合强度、有利于器件可靠性而取代热压键合和超声波键合成为引线键合的主流。 　　引线键合有两种基本形式：球键合与楔键合。这两种引线键合技术的基本步骤包括：形成第一焊点(通常在芯片表面)，形成线弧，最后形成第二焊点(通常在引线框架／基板上)。两种键合的不同之处在于：球键合中在每次焊接循环的开