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基于GaN LED芯片反射电极结构在量产中稳定性研究 　　摘 要：以GaN LED芯片量产制造中的一种主流金属电极结构（反射电极结构）为研究对象，主要从实际量产过程中如何保持该电极的稳定性方面着手研究。该研究详细阐述了如何实现和管控反射电极结构第1层膜厚的准确性，并指出了其对GaN LED芯片各项性能的影响;同时，还详细阐述了反射电极结构在量产过程中如何防范金属铝在后续作业和在存储过程中被慢慢腐蚀而导致电极结构不稳定的问题。 　　关键词：GaN LED;反射电极结构;金属铝;稳定性 　　中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：2095-6835（2014）23-0091-02 　　1993年，日本中村修二发明了第1颗蓝光LED芯片。经过20多年的发展，蓝绿光LED的应用越来越广，它被广泛应用于照明、背光显示、户外显示屏等，使LED行业进入了高速发展期。虽然LED芯片的使用性能一直在快速提升、成本在迅速下降，但是，光效始终是LED芯片技术发展的核心指标之一。目前，LED芯片制造厂家在提升产品可靠性的同时，想方设法地提升其发光效率。近2年来，在LED芯片制造过程中，芯片的反射电极结构已经基本取代了之前的CrPtAu电极结构，这是因为反射电极结构与传统的CrPtAu电极结构相比，能够有效提升LED芯片的外量子效率。其工作原理是：金属电极第1层被减薄后，在第2层上使用高反射率的金属铝，使金属电极与GaN接触面形成反射膜，再将其射入到金属PAD面上的光反射回去后，通过其他角度射出芯片，从而达到提升发光效率的目的。 　　1 提升亮度的原理 　　在GaN的外延生长完成后，其内量子效率就已经确定了。在芯片制程中，要尽可能多地将光取出，也就是常说的“外量子效率”，而使用反射电极结构是提高外量子效率的方法之一。传统的CrPtAu电极结构如图1所示，它采用的是CrPtAu 3层金属，且第1层的Cr相对来说很厚，一般在200～500 ?之间。而反射电极结构如图2所示，它主要增加了2层，即第1层Cr和第2层铝。其中，第1层Cr的厚度相对来说很薄，一般在5～50 ?之间。通过比较2种电极结构不难发现，传统CrPtAu电极结构由于第1层Cr很厚，所以，Cr材料形成的金属膜的反射率很低、吸收率较高。在膜厚为200～500 ?的情况下，芯片量子阱层中发出光子射入金属PAD的光基本被第1层Cr吸收，并转化为热能;而反射电极结构增加的第1层Cr和第2层Al，其铝金属膜为高反射率的金属膜，而第1层Cr在很薄的情况下，对光的吸收效应是非常有限的。由此可知，在反射电极结构中，芯片射入金属PAD的光有很大一部分是通过铝金属膜再反射回芯片内部的，并通过其他角度射出芯片，以达到增加光效的目的。 　　 　　图1 传统CrPtAu电极结构 图2 反射电极结构 　　2 影响反射电极结构稳定性的因素 　　在大批量量产过程中，反射电极与传统电极相比，需要特别注意其一致性和可靠性。而引发此问题的主要因素有两种：①在量产中，所有产品第1层金属实际厚度的稳定性和一致性是影响LED芯片光电参数的重要指标。在反射电极结构中，第1层金属厚度设定是很薄的，所以，在实际生产过程中，第1层金属的实际厚度对芯片的光电特性（主要是正向工作电压和亮度）以及金属PAD和GaN之间的黏附性影响很大。反射电极结构中第2层铝作为反射层的作用是将来自芯片内部的光反射回去，但是，由于铝与GaN之间的黏附性很差，如果第1层直接使用金属铝将会存在电极与GaN之间黏附性差的问题，所以，在反射电极结构中，第1层一般都使用与GaN之间的黏附性较好的金属，一般都选用金属Cr或金属Ni。为了使第1层金属尽可能地减少对光的吸收，从提升亮度的角度考虑，第1层金属膜越薄越好，但在实际量产中又不能太薄了，因为如果其太薄，就会存在电极黏附性差的问题。综上所述，在量产中，需要将第1层金属精确地稳定在某一范围内――一般要将第1层金属的厚度控制在±2 ?范围内。②由于在反射电极中增加了金属铝，而它是一种非常活泼的金属，能够与酸、碱和氯、氟等卤素元素反应，所以，在金属PAD工序完成后，第2层金属铝的侧壁是裸露在空气中的，在后续工序中必须要避免其与酸、碱和卤素元素接触。而第2层金属铝或多或少会被腐蚀，这样就会使LED芯片发生金属电极脱落的情况，影响光电性能的稳定性。图3是产品在批量生产中，由于长时间放置在不适当的环境中，使金属铝发生反应，而铝层以上部分则出现了脱落的现象。 　　 　　图3 由于金属铝反应导致铝层脱落示意图 　　 　　图4 图3中正常区域EDS成分分析图 　　 　　图5 图3中异常区域EDS成分分析图