ZnO微管材料及光电性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

II II 5.3.1.2 激子与激子之间的作用 39 5.3.1.3 束缚激子辐射复合发光 40 5.3.1.4 ZnO 微管带边发射 41 5.3.2 深能级发射47 HYPERLINK \l _TOC_250000 5.3.3 ZnO 微管的绿光发射机制 47 第六章 结 论49 致 谢 50 参考文献51 第 第 1 章 绪 论 PAGE PAGE 10 第一章 绪 论 1.1 引 言 近年来，国际上的激光二极管，光探测器，集成光学和非线性光学器件等 为应用背景的光电子材料及其新结构的应用基础研究不断取得突破。从对第一 代光电子材料硅、锗的研究发展到第二代光电子材料砷化镓、磷化铟的研究， 随着这些研究和应用的日趋产业化，相关器件的研制也日趋成熟。当前国际上 在光电子领域研究的热点正向紫外光波段和中红外光波段拓展，在这些波段新 材料和新结构的生长及其新的物理效应和机制的研究已成为人们关注的重点， 宽带半导体的研究越来越受到人们的重视。ZnO是一种典型的直接带隙的宽禁带 氧化物半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37eV，对应于紫外光波段，并且具 有很大的激子束缚能，室温下高达 60meV,是一种合适的用于室温或更高温度下 的紫外光发射材料。ZnO材料在0.4～2μm的波长范围内透明，具有优异的光电、 声电、压电等效应， 因而提供了将电学、光学及声学器件等进行单片集成的可 能性，而且耐热、化学性能稳定，极有希望开发出短波段的光电子器件，如UV 探测器、LED、LD等。再加上原料丰富易得，价格低廉，因此ZnO材料在光电方 面的研究成为国际前沿领域的热点，具有广阔的发展前景。 1.2 研究动态 短波长光电子材料和器件一直是人们关注的研究课题，因为它对于提高光 通信的带宽和光信息的记录密度起到非常重要的作用。而ZnO因自身优异特性使 其成为制备室温短波长光电器件的优选材料，成为国内外研究的热点。目前在氧 化锌薄膜制备方面已普遍采用了许多先进的方法和技术，例如激光辅助的MBE生 长，电子回旋共振辅助MBE方法，氦等离子体激活生长方法，MOCVD方法以及两步 法原子层生长等。此外，以Zn0为基的各种微结构和混晶的研究也相继开展起来， 如微晶Zn0薄膜自组装量子点，混晶宽禁带材料和纳米Zn0及其任意环形腔紫外受 激发射等。不仅研究了Zn0薄膜的发光特性，还探索了氧化锌薄膜的光生伏特效 应，用来制备紫外光探测器和太阳能电池，甚至有人研究了Zn0薄膜的光记录。 虽然Zn0光电薄膜的研究受到空前的重视，但目前Zn0的研究还处于初期阶段，研 究方面还仅仅是停留在薄膜样品的制备及其光学特性的研究上，从目前国际上 ZnO的研究现状来看，今后ZnO材料的研究的主要内容包括以下几个方面： 一、利用ZnO制作紫外光半导体激发器 光泵浦ZnO紫外激射的发现和自形成谐振腔的获得，使利用ZnO制作紫外激光 器的前景变得更加光明。但存在泵浦阈值较高及伴随近带边紫外发光的同时有深 能级发射。因此降低阈值、减小深能级发射成为人们关注的热点。 二、高质量ZnO薄膜和现有器件改进 高性能的器件依赖于高质量的材料，但目前ZnO薄膜的质量还有待于进一步 提高，对应于不同的要求改进生长系统以得到高质量的材料是目前研究的重点之 一。在提高质量的基础上，理论研究和工艺提高相结合，提高器件的质量也是目 前研究的重要方向。 三、ZnO的p型掺杂和pn结的制作 要得到实用化的器件，就必须实现电泵浦条件下ZnO材料的发光和激射，而 达到这一目的的关键在于制备出低阻的p型ZnO薄膜。目前Minegishi等人［1］ 虽然 实现了ZnO薄膜的p型掺杂，但其少子密度在1016/cm3量级，远低于制作pn结所需 要的浓度。因此，如何实现ZnO的高浓度p型掺杂从而制作出pn结是目前所面临的 一个重大难题。除了努力提高p型掺杂浓度外，由于ZnO与GaN匹配较好，晶格特 性接近，而且p－GaN已能制作，因此利用n－ZnO和p－GaN来制作pn结不失为一个 较好的努力方向。 四、缺陷行为和载流子输运特性的研究 与其他的半导体化合物相比，ZnO材料对缺陷的忍耐力也很高，研究“为什 么它具有这么高的能力及如何使其它材料具有同样高的忍耐能力？”对半导体产 业的发展具有至关重要的作用。ZnO载流子的输运特性直接影响到其复合速率和 光激发的速率，对ZnO及其掺杂材料的载流子输运特性的研究将关系到实用型器 件的实现，因此具有重要的地位。 1.3 本论文研究内容 ZnO材料以其具有的光电特性和潜在的应用前景已成为目前研究的热点，其 光泵浦紫外激光的发现使制作紫外激光器和发光管等器件成为可能而且高质量 ZnO 薄膜制作的高频表面声波器件，紫外探测器等的应用市场也不可估量。但是 目前在ZnO材料的研究方面