延续Core架构辉煌―47nm Penryn处理器提前解析.docVIP

延续Core架构辉煌―47nm Penryn处理器提前解析 　　回顾英特尔在近10年当中所推出的处理器架构：P6、NetBurst和Core三大架构显得尤为重要。稍有资历的朋友可能对PentlumPro、PentiumⅡ和PentiumⅢ仍记忆犹新，这三款处理器同属于P6架构，P6架构的表现还算令人满意。在随后的2000年，英特尔推出了让其饱受困扰的NetBurst架构，虽然在该架构中引入了SSE2/SSE3指令集和Hyper-Threading超线程等技术，但并不能有效解决处理器指令效能低下的状况。就在英特尔想方设法通过提高前端总线频率、增加二级缓存容量并使用更先进的工艺制程提高NetBursc架构性能的时候，AMD 64架构凭借众多优势从英特尔手中夺取了大量市场份额。在吸取了经验教训之后，英特尔重新找到了正确的发展方向――Core架构放弃了NetBurt遵循的“频率至上”原则，转而由全新的“每瓦性能”所取代。基于Core架构的产品不仅在桌面市场大放异彩，在作为英特尔当前工作重心之一的移动领域，Core架构处理器也逐步发展壮大。 　　近日英特尔对外公布了最新的第二季度财务报表。报表数据显示，英特尔净收入13亿美金，同比增长了47％，每股盈利增长22％，超过了此前业内人士的预期。在大好形势之下，英特尔并不会就此满足，为了应对AMD即将发布的K10处理器，英特尔将在明年第一季度推出新一代45nm处理器――Penryn，更先进的工艺制程、更加完善的指令集和改进的Core架构令广大DIYer充满期待。需要说明的是，我们所说的Penryn实际上是移动平台中45nm处理器的代号，而桌面平台中诸如双核Wolfdale处理器和四核Yorkfield处理器都是由Penryn衍生而来。接下来我们就看看Penryn究竟有何不同吧。 　　 　　先进的45nm制程 　　 　　Penryn处理器是英特尔首款使用45nm制程生产的产品。就在45nm制程取得阶段性成果的时候，英特尔核心人物戈登?摩尔就称赞到“High―K栅介质和金属栅极晶体管是自上世纪60年代晚期推出多晶栅极金属氧化物半导体晶体管以来，晶体管技术领域里最大的突破”。而在今年IDF北京论坛上，英特尔技术与制造事业部的马博院士也表示，45nm制程是英特尔40年来在半导体领域的最大突破之一。 　　我们所说的45nm制程通常是指一种工艺尺寸，也就是指芯片上最基本的功能单元门电路与门电路之间连线的宽度。提升工艺制程不但可以提高产品集成度、降低产品成本，还能降低产品功耗。英特尔表示，45nm制程带来了晶体管密度2倍的提升、晶体管切换速度提升20％、功耗却更小。 　　正是由于45nm制程的应用，才能使四核Penryn在8.2亿只晶体管的规模下芯片面积仅有107mm2，相比之下，英特尔当前65nm四核处理器核心面积达到了143mm2，制程改进的作用可见一斑。 　　 　　英特尔45nm制程的ig项最关键的技术――High―K栅介质与金属栅极。 　　 　　第一项关键技术是使用High―K材料取代了沿用多年的二氧化硅。与应变硅技术加速晶体管内电流速度相反，在不同晶体管之间，我们需要绝缘以避免泄漏的问题。在90nm制程之前，泄漏问题并不算十分严重，但转换到90nm制程之后，不同晶体管的间距变得非常短，电流泄漏现象变得异常严重。为了抵消泄漏的电流，芯片不得不需要更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。在65nm制程上，IBM和AMD采用了SOI技术来隔断各电极向衬底流动的漏电流，使其只能通过晶体管流动，但SOI技术对于同一层面的晶体管之间的阻隔效果并不理想。因此High―K材料就走进了科学家们的视线――High-K材料电子泄漏的阻隔效果比二氧化硅强很多，于是英特尔决定使用High-K材料来制造晶体管的栅极。High―K材料对电子泄漏的阻隔效果可以达到传统材料二氧化硅的数百倍，电子泄漏基本被阻断，就算是在绝缘层厚度降低到0.1nm尺寸仍然具有较好的电子隔绝效果，这样就在缩小制程的同时控制住了功耗。 　　第二项关键技术是使用金属类材料取代现有的多晶硅。多晶硅作为最为基层的导体，由于其电阻较大，所以整个晶体管迟延周期也比较大。如果采用导电率较高的金属类材料栅电极，能彻底解决栅极的这个问题――金属材料电阻较小。遗憾的是，由于商业机密等原因，英特尔并没有透露该金属材料具体内容，我们只知道针对NMOS与PMOS金属栅极采用了不同类型的金属材料。 　　 　　新一代SSE4指令集 　　 　　“硬件是基础，软件是灵魂。”这句话在处理器中得到了很好的体现。现有处理器都采用了极其复杂的大规模集成电路设计，集成了上亿只晶体管。如此高科技的精密电子器件怎样来控制?指令集作为处理器的灵魂，其设计优劣直