忆阻器忆容器-忆感器的Simulink建模及其特性分析-物理学报.pdfVIP

忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模及其特性分析 王晓媛 俞军 王光义 Simulinkmodelingofmemristor,memcapacitor,meminductor and their characteristics analysis WangXiao-Yuan YuJun WangGuang-Yi 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,098501(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 一个通用的记忆器件模拟器 Auniversalemulatorofmem-elements 物理学报.2014,63(9): 098501 /10.7498/aps.63.098501 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究 Compositeinterfacesandelectrodepropertiesofresistive random access memory devices 物理学报.2013,62(24): 248501 /10.7498/aps.62.248501 基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al 的有机阻变存储器SPICE仿真 SPICEsimulationoforganicresistivememorywithstructure of ITO/polymethylmethacrylate/Al 物理学报.2013,62(22): 228502 /10.7498/aps.62.228502 超导量子干涉器件读出电路中匹配变压器的传输特性研究 Study on transmission characteristics of matching transformer in DC superconducting quantum interfer- encedevicereadout 物理学报.2013,62(18): 188501 /10.7498/aps.62.188501 基于模拟电路的新型忆感器等效模型 Anovelmeminductoremulatorbasedonanalogcircuits 物理学报.2013,62(15): 158501 /10.7498/aps.62.158501 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 9 (2018) 098501 忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模 及其特性分析 王晓媛 俞军 王光义 (杭州电子科技大学, 现代电路与智能信息研究所, 杭州 310018) ( 2017 年12 月17 日收到; 2018 年2 月18 日收到修改稿) 忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件, 也被称为记忆元件. 以三种电路元 件的通用数学模型为依据, 从数学分析的角度, 对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink 模型进行了建立. 在 Simulink 模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性, 正确表现出其独特的记忆特性. 通过 一系列仿真分析, 得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性, 验证了模型的有效性. 此外, 通过对三者在不 同参数、不同激励下的电路特性分析, 得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律, 为以后忆阻 器、忆容器和忆感器基于Simulink 的仿真研究和应用研究奠定基础. 关键词: 记忆元件, 数值仿真模型, Simulink, 记忆特性 PACS: 85.25.Hv, 07.50.Ek DOI: 10.7498/aps.67 件, 目前尚不能走出实验室, 而忆容器和忆感器目 1 引 言