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籽晶背面镀膜对sic晶体质量影响-effect of back coat of seed crystal on sic crystal quality
I
PAGE 2
摘要
论文题目 :籽晶背面镀膜对 SiC 晶体质量的影响
学科专业:材料物理与化 学
研究生:刘兵
指导教师 z 陈治明教授
签名 : 创立?
协(咛俨二
摘 要
SiC 作为新一代半导体材料,具有广阔的应用前景;而在晶体生长过程中产生的缺陷对 晶体的质量产生了重要的影响。本文根据 SiC 晶体中的微管、热分解空腔和六方空洞的产生 的机理和抑制方法 ,针对 2 英寸 SiC 单品生长工艺,提出了一种保护籽品的方法,即通过直 流反应溅射法在籽晶背面镀一层致密、均匀耐高温的 TiN薄膜。最后使用这种籽品生长 SiC 晶体样品,采用显微观测和 X 射线衍射 (XRD) 测试手段,对籽晶背面升华状况、样品生长 前端的表面形貌、缺陷密度、半峰宽等进行测试分析,得出如下主要结论 :
1) 在 SiC 晶体生长工艺中,由于粘接剂的涂抹不均匀 ,会在籽晶的背面产生一些空洞, 此空洞在晶体生长??程中会促使籽晶背面升华,导致各种缺陷的产生,影响 SiC 品 体质量。
2) 在相同的晶体生长条件下,通过对籽晶背面镀膜和未镀膜的实验样品进行对比,结 果显示籽品背面镀膜后其背面没有发生升华现象,并且生长出的晶体中未观察到热 分解空腔和六方空洞,并且从晶体的生长前端的表面形貌观测得出籽晶背面镀膜的 晶体部分的生长台阶要比未镀膜样品的规则 ,深度和宽度也有所增加。
3) 经过对实验样品中的缺陷密度统计,籽品背面镀膜生长出的晶片中的微管密度跟籽 晶未镀膜的微管密度相比,由 243cm-2 降低到 45cm-2; 晶体的半峰宽也由 0.28。降 低到 0.220 ,晶体质量有所提高。
关键词 :SiC; 籽晶升华 ;T剖;微管密度 ;晶体质量
西安理工大学硕士学位论文
III
PAGE 4
Abstract
Title: EFFECT OF OPTIMIZING THE BACK STATE OF 5EED ON 5iC
CRY5TAL QUALITY BY PVT METHOD
Major: Material Physics and Chemistry Name: Liu Bing
5upervisor: Prof. Chen Zhiming
Signature: 三
Signature:
Abstract
As a new generation of semiconductor materials ,SiC has a broad application prospect.
However the defects in tbe process of SiC crystal growth has important influence on 由ecηfStal quality. In this paper,也e author aims at the growth process of2-inch SiC,analysis tbe mechanism and inhibition method of micropipes ,也ermal decomposition cavities 缸ld hexagonal voids. So,
T让.J films 缸e prep缸ed on the seed by reactive magnetron sputtering in ultrahigh vacuum magnetron spu忧ering equipment, wbich to protect the seed. Microscope ,XRD 缸e employed to investigate tbe samples surface topograpby,defects density,FWm在 in SiC crystals. Tbe main
resultsand conclusions as follows:
1. In the growth process of 2-inch SiC,the imperfections at the interface of the seed holder and the SiC seed,which can produce some holes on the back of the seed. And this holes lead to sublimation phenomenon on the back of the seed,也at to cause the generation of
various defects and affecting the qualit
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