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第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报
36 4 Vol.36No.4
年 月 ’
2016 4 JournalofXianTechnoloicalUniversit A r.2016
g y p
: /
DOI10.16185 .xatu.edu.cn.2016.04.012
jj
H ClKIHO溶液体系中碘化汞( H I)
g 2? ?2 α?g2
籽晶层生长研究
赵盼盼,许 岗,冯亚西,邱海蔡,李俊英
(西安工业大学 材料与化工学院,西安 710021)
摘 要: 为提高气相沉积碘化汞( )多晶薄膜定向生长效果,研究了 和 溶液
H I H Cl KI
α?g2 g 2
化合反应法制备用于同质外延的 籽晶层的生长工艺 建立了 /
H I . H ClKI=1∶1 1∶6
g2 g 2 ~
-
(摩尔比)的反应体系,通过改变体系中碘离子([])浓度,研究了液相体系的反应过程 通过
I .
紫外 可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征,采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶
?
-
体结晶形貌和分布特征 光谱表明:随着[] 浓度增大,体系中出现[ ]聚体并导致
.UV I H I
g2 狀
吸收峰红移,以及 [ ]· 吸收峰出现蓝移 宏观形貌分析表明:籽晶层粒度和覆盖度
K H I HO .
g3 2
-
随[]浓度增大而增大,晶粒逐渐发育充分 [ ]聚体的形成导致电子能级密度增加,跃
I .H I
g2 狀
迁能量降低,形成红移;孤对电子浓度增大在 [ ]· 出现电子从非键轨道向反键轨
K H I HO
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