浮栅氧化层前清洗金属污染分析及改善方法.docVIP

浮栅氧化层前清洗金属污染分析及改善方法 　　【摘 要】浮栅氧化层前清洗工艺是降低硅晶片表面的金属污染，改善器件漏电，提高产品可靠性的关键步骤。在实际应用中，随着对产品可靠性的要求不断提高，利用传统方法来优化化学清洗溶液的参数很难满足器件对金属污染的要求。通过对超纯水冲洗过程中金属污染产生的机制理论分析，找出了影响金属污染的关键因素。实验中，利用稀释的HF清洗，改变硅晶片表面的化学键，改善硅晶片表面的金属污染，以提高少数载流子寿命。 　　【关键词】超纯水冲洗 金属污染 少数载流子寿命 边界层 　　1引言 　　闪存存储器（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性存储器，广泛应用于电子移动设备中。闪存存储器在读写数据时，电流穿过浮置栅极与硅基衬底之间的绝缘氧化层（浮栅氧化层），对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。在实际应用中，闪存存储器件必须能保证进行高达10万个读写周期，才能满足终端产品的使用寿命。因此，浮栅氧化层的质量对器件的可靠性非常关键。 　　浮栅氧化层的前清洗工艺是保证浮栅氧化层质量的关键步骤，其主要作用是清除硅晶片表面的颗粒和金属污染，并保持硅晶片表面的平整度。通过优化前清洗工艺，降低硅晶片表面的金属污染，对改善器件的漏电，提高器件的可靠性具有重要意义。但是随着器件尺寸的变小和实际应用中对可靠性要求的不断提高，优化前清洗工艺程式中化学溶液的参数已不能满足器件对金属污染要求。 　　浮栅氧化层前清洗程式按照以下顺序依次清洗：（1）稀释的HF溶液及超纯水冲洗；（2）SC1（氨水、双氧水和超纯水的混和溶液）及超纯水冲洗；（3）SC2（盐酸、双氧水和超纯水的混和溶液）及超纯水冲洗；（4）超纯水冲洗及干燥。其中，HF溶液是除去硅晶片的自然氧化层，SC1溶液为除去硅晶片表面的颗粒，SC2溶液主要是清洗硅晶片的金属污染。每一种化学溶液之后都以超纯水冲洗结束。超纯水冲洗主要作用是清洗硅晶片表面的反应生成物和残留的化学药液。在IC 制造生产工艺中，超纯水的金属含量受到严格控制和监控（规格小于0.1ppb），但即便如此，硅晶片在超纯水冲洗时，会导致硅晶片表面金属污染的增加[1-2]，其增加量无法通过ICP-MS 直接检测出来。这些金属污染会导致监控片的少数载流子寿命 （MCLT）变短，器件的数据存储失效（data retention fail），良率降低约15%。本文对超纯水冲洗过程中发生金属污染的扩散和吸附过程进行了理论分析，并对晶片表面状态和超纯水流速进行了研究和工艺改善，为后续进一步降低硅晶片表面的金属污染提供了可能和基础。 　　2 实验描述 　　本实验步骤包括氧化层的前清洗、氧化层的生长和少数载流子寿命（MCLT）测试三部分，如图1所示。 　　图1 MCLT实验流程 　　Fig1 the flow chart for MCLT test 　　硅晶片氧化前清洗使用DNS FC-821清洗槽，该机台一次处理50片硅晶片，硅晶片与硅晶片之间的距离为3.17毫米，浮栅氧化层前清洗程式是按照以下顺序依次清洗：（1）稀释的HF溶液及超纯水冲洗；（2）SC1及超纯水冲洗；（3）SC2及超纯水冲洗；（4）超纯水冲洗及干燥。硅晶片氧化前清洗可在3种不同条件下进行实验：（1）对照组：超纯水冲洗流速为20升/分钟；（2）低水流速组：超纯水冲洗流速减半；（3）HF-last清洗组：当硅晶片在干燥槽中干燥前，增加一个步骤――稀释HF溶液清洗除去化学氧化层。 　　硅晶片氧化所用机台为TEL α-8SE AP炉管，在1050度条件下干氧法生长为225A的氧化层。少数载流子寿命（MCLT）利用KLA-Tencor Quantox进行测试，用来表征硅晶片表面金属污染程度。 　　实验所用为8英寸p型、（100）硅晶片，电阻率8-12Ω?cm，硅晶片实验所用为SC1、SC2、HF溶液及超纯水，经过ICP-MS取样测试金属含量均小于0.1ppb。 　　3 实验结果与机理分析 　　通过对超纯水中清洗程式的测试结果分析，由表1可见，三组实验条件中，对照组处理的硅晶片所得到MCLT数值最低，均匀性最差。这是由于在硅晶片进行超纯水冲洗时，金属离子从超纯水中向硅晶片表面扩散并被硅晶片表面吸附，吸附过程主要通过以下热力学原理进行。当溶液的PH3 时，硅晶片表面的Zeta电位为负值，硅晶片表面在超纯水中进行以下离子反应（超纯水PH=7）。 　　（1） 　　（2） 　　其中，Mn+表示水溶液中的金属离子，硅晶片表面最外层的Si悬挂键总数量是定值，悬挂键以SiO-、SiOH及SiOM?（n-1）+的形式存在。 　　（3） 　　其中，σSi表示硅晶片表面能提供Si悬挂键的总数量，σSiO-表示SiO-键的数量，σSiOH表示SiOH