传感器技术 第3章 光电式传感器.pptx

3.1 光电效应 ; 逸出功A也称功函数,是一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所需作的功,其值与材料有关,还和材料的表面状态有关。若逸出电子的动能为 ,则由能量守恒定律有 ; (1)光电效应能否产生,取决于光子的能量是否大于该物质表面的电子逸出功。这意味着每一种物质都有一个对应的光频阀值,称为红限频率（对应的光波长称为临界波长）。光的频率小于红限频率,光子的能量不足以使物体的电子逸出,因而小于红限频率的光,光强再大也不会产生光电发射。反之,入射光频率高于红限频率,即使光强微弱也会有电子发射出来。 ; (2)若入射光的光频为v,光功率为P,则每秒钟到达的光子数为p/hν。假设这些光子中只有一部分(η)能激发电子,则入射光在光电面激发的光电流密度为 ; (3)光电子逸出物体表面具有初始动能。因此光电管即使未加阳极电压,也会有光电流产生。为使光电流为零,必须加负的截止电压,而截止电压与入射光的频率成正比。 ; 3.1.2内光电效应 内光电效应分为两类,光电导效应和光生伏特效应。 1. 光电导效应 入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。这种效应几乎所有高电阻率半导体都有。这是由于,在入射光作用下,电子吸收光子能量,从价带激发到导带,过渡到自由状态,同时价带也因此形成自由空穴,致使导带的电子和价带的空穴浓度增大,引起材料电阻率减小。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,如图3.1所示,即光的波长应小于某一临界波长λ0。; 式中,Eg以电子伏(eV)为单位(1eV=1.60×1019J),c为光速(m/s)。λ0也称为截止波长。根据半导体材料不同的禁带宽度可得相应的临界波长。 ; 图3.2 光电导元件工作示意图; 图3.2为光电导元件工作示意图。图中光电导元件与偏置电源及负载电阻RL串联。当光电导元件在一定强度的光的连续照射下,元件达到平衡状态时,输出的短路电流密度为 ; 2.光生伏特效应 光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。若在N型硅片掺入P型杂质可形成一PN结,如图3.3所示。P型半导体内有许多多余的空穴,N型半导体内有许多过剩的电子,当N型半导体和P型半导体结合在一起时,由于热运动,N型半导体中的电子越过交界面填补了P型半导体中的空穴,也可以说P型半导体中的空穴越过交界面复合了N型半导体中的电子。 ;图3.3 PN结产生光生伏特效应 ; PN结用作整流时,其电压—电流特性如图3.4中的曲线(1)所示。这时外加电压U(以正方向为正)与电流Id的关系为 ;图3.4 PN结的电压电流特性; 这个电流与(3.3)式所示电流方向相反,所以流经结点的电流是二者之差,即 ;3.2 热释电效应; 热释电材料有晶体、陶瓷和塑料等。使用最早的是热释电晶体。热释电晶体在自然条件下能够自发极化,形成固有的偶极矩,在垂直晶体极轴的两个端面上具有大小相等、符号相反的束缚电荷。如果垂直晶体极轴的两个端面上镀有金属电极,则在电极上会感生与束缚电荷大小相等的自由电荷。 ; 当温度变化时,电偶极矩会发生变化,晶体表面的束缚电荷发生变化,从而导致电极上的自由电荷发生变化。如果电极与放大器的输入端相接,则放大器输出与温度变化成正比的电信号。热释电晶体如铌酸锂、钽酸锂等,热释电陶瓷如钛酸钡（BaTiO3）、锆钛酸铅（PZT）等,热释电塑料如聚偏二氟乙烯（PVDF）等。通常极化所产生的束缚电荷被来自空气中附集在晶体外表面的自由电荷中和,晶体对外不显电性。中和平均时间为 ; 为了使产生的束缚电荷不被中和掉,就必须使晶体处于冷热交变工作状态,这样才能使晶体两端所产生的束缚电荷表现出来。为此,热释电传感器需要用光调制器调制入射光。调制频率f必须大于1/τ,才能使热释电体产生的电荷来不及被外来自由电荷所中和,在晶体极轴两端产生交变电压,如图3.5所示。若在热释电体两端的电极上接入电阻R,则R两端所产生的交流信号电压ΔU为 ; 式中,S为电极面积,dPS/dt为自发极化矢量对时间的相对变化,g=dPS/dT为热释电系数,dT/dt为温度对时间的变化率。由此看出,输出信号ΔU与温度变化速度成正比,而温度的变化速度又与红外线的强度变化有关。 利用热释