《第1章半导体器件基础第2讲》教学课件.ppt

1.2.4 半导体二极管及其参数 1.2.5 二极管的电路模型 二极管的应用举例 (1) UA=0 V UB=0 V (3) UA=0V UB=3V 1.3 特殊二极管 1.3.1 稳压二极管 1.3.3 发光二极管 1.3.4 光电二极管 稳压管并联有四种接法： 3、如图，已知UZ=10V，负载电压UL（ ） （Ａ） 5Ｖ （Ｂ）10Ｖ （Ｃ）15Ｖ （Ｄ）20Ｖ A VS 20V 15kΩ 5kΩ UL 稳压管的工作条件 （１）必须工作在反向击穿状态。 （２）电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。 4、已知ui = 6sinωt，UZ =3V，画输出波形。 VS ui uo 6 ui /V ωt 3 uo ωt 3 O O 1.3.2 变容二极管 有正向电流流过时，发 出一定波长范围的光，目前 的发光管可以从红外到可 见波段的光，它的电特性 与一般二极管类似。 反向电流随光照度的增加而增大。 * 模拟电子技术 南京航空航天大学金城学院自动化系-朱海霞2011版 回 顾 上讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容 二极管(Diode) = PN结 + 管壳 + 引线 结构： 分类： 1. 半导体二极管的结构及分类 按材料分：硅二极管、锗二极管 按结构分：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 N P 半导体二极管的符号： a k 阳极 阴极 电流方向 由P区引出的电极称为阳极（正极） 由N区引出的电极称为阴极（负极） + - U 二、半导体二极管的伏安特性 反向饱和电流 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300K： UT = 26 mv 温度的 电压当量 PN结两端的电压降 流过PN结的电流 当 u0 uUT时 当 u0 |u||U T |时 (1) 正向特性 (2) 反向特性 伏安特性曲线： u E i V mA u E i V uA 硅：0.5 V 导通压降 反向饱和电流 死区 电压 击穿电压UBR 硅：0.6~0.8V 典型值为0.7V 锗 硅 /mA /μA 锗：0.1~0.3V 锗：0.1 V 2.半导体二极管的伏安特性 PN结的伏安特性曲线 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 3. 半导体二极管的主要参数 （1）直流电阻R D ：指二极管两端所加直流电压与流过它的直流电流之比。 RD不是恒定值，在正向工作区域，RD随UD增大而减小，在反向工作区域，RD随UD增大而增大。 （2）交流电阻r d ：指二极管在其工作点Q（UDQ,IDQ)处的电压微变量与电流微变量之比。 r d 几何意义：指二极管伏安特性曲线上Q点处切线斜率的倒数。 据伏安特性方程，可得 (3) 最大整流电流IFM— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (4) 反向击穿电压UBR—— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 最大反向工作电压URM 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压URM 一般只按反向击穿电压UBR 的一半计算。 (5) 反向电流IS—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (6) 最高工作频率fM—— 由PN结的结电容大小决定，二