《第1章半导体物理半导体中的电子状态2》教学课件.pptVIP

电子的运动方程为 如果等能面是球面，由上式可知，改变磁场方向时只能观察到一个吸收峰。但硅、锗是各向异性的，则当磁感应强度相对于晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰，例如硅： （1）若B沿[111]晶轴方向，只能观察到一个吸收峰； （2）若B沿[110]晶轴方向，可以观察到二个吸收峰； （3）若B沿[100]晶轴方向，也能观察到二个吸收峰； 认为硅导带底附近等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，椭球长轴与该方向重合，则导带最小值在[100]方向上。 根据硅晶体立方对称性的要求，也必须有同样的能量在 的方向上，共有六个旋转椭球面，电子主要分布在这些极值附近。 设k0s表示第s个极值所对应的波矢，s=1,2,3,4,5,6，极值处能值为Ec，k0s沿100方向共有六个，极值附近的能量Es(k)为 选取k1，使磁感应强度B位于k1轴和k3轴所组成的平面内，且同k3轴交θ角，则在这个坐标系里，B的方向余弦α、β、γ分别为: α= sin θ，β=0， γ= cos θ （3）磁感应沿[111]方向，则与上述六个100方向的方向余弦?2＝?2＝?2=1/3，则 由ω=ωc=qB/mn*可知，因为mn*只有一个值，当改变B时，只能观察到一个吸收峰。 根据实验数据得出硅的有效质量 锗的有效质量 导带极值（椭球中心）的确定位置： 硅的导带极值位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 锗的导带极值极小值位于111方向的边界上，共有八个。极值附近等能面为沿111方向旋转的八个旋转椭球 价带顶位于k=0，即在布里渊区的中心，能带是简并的。计入自旋，价带为六度简并。如果考虑自旋-轨道耦合，可以取消部分简并，得到一组四度简并的状态和另一组二度简并的状态，分为两支。 对于式2表示的第三个能带， 由于自旋-轨道耦合作用，能量降低 了△，与以上两个能带分开，等能面 接近于球形。对于硅△约为0.04eV， 锗的△约为0.29eV，它给出第三种有 效质量(mp*)3。由于等能面与球形等 能面近似，空穴的有效质量是各向同 性的。 所以硅、锗得价带分为三个带， 分别是重空穴带（曲率小的）、轻空 穴带（曲率大的）和劈裂带。由于劈 裂带是离开价带顶的，一般只对前两 个能带感兴趣。 另外，重空穴比轻空穴有较强的 各向异性。 * * 1.5 回旋共振——第一次直接测出有效质量 1.k空间等能面 (1)等能球面 一维情况下能带极值在k＝0处 实际的三维晶体 设导带底位于k=0，其能值为Ec(0)，则导带底附近 球面 等能面：当E(k)为某一定值时，(kx，ky，kz)构成一个封闭面，在这个面上的能值均相等，这个面称为等能面。 (2)等能椭球面 设导带底位于k0，能量为E(k0) ， 分别表示沿kx，ky，kz三个方向导带底电子的有效质量,则 式中 上式为一椭球方程，表明这种情况下的等能面是环绕 k0的一系列椭球面。 上式可改写为 式中Ec表示E(k0) 2.回旋共振 电子在恒定磁场中的运动 (1)等能面是球面 电子沿磁场方向作匀速运动，在垂直B的平面内作匀速圆周运动 等能面为球面 磁场作用下电子运动轨迹 在垂直B的平面内加上一个高频电场，当频率等于回旋频率时，高频电场的能量将被电子共振吸收，这称为回旋共振。通过上式求出有效质量。 分别为椭球等能面三个主轴方向上电子的有效质量 ，α、β、γ为B沿kx，ky，kz轴的方向余弦，则 对旋转椭球等能面情况坐标系的选取 (2)等能面是椭球面 电子应作周期性运动，取试解 代入上式，得 要使 有非零解的条件是其系数行列式 由此解得电子的回旋频率 其中： 1.6 锗和硅的能带结构 1.硅和锗的导带结构 回旋共振吸收示意图 另一种坐标表示法，并使k3沿椭球长轴方向。以沿[001]方向的旋转椭球面为例。则沿k1、k2轴的有效质量相同。 令mx*=my*=mt，mz*= ml， mt 和ml分别称为横有效质量和纵有效质量，则等能面方程为: 代入有效质量式中得 讨论： （1）磁感应沿[100]方向，对应的mn*值分别是 因而也可以观察到两个吸收峰。 （2）磁感应沿[110]方向，对应的mn*值分别是 因而也可以观察到两个吸收峰。 硅和锗在布里渊区中导带等能面示意图