原子层沉积生长速率的控制研究进展-无机材料学报.PDF

第29 卷 第4 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 4 2014 年4 月 Journal of Inorganic Materials Apr., 2014 文章编号: 1000-324X(2014)04-0345-07 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13449 原子层沉积生长速率的控制研究进展 1 1, 2 1 1 1 卢维尔 , 董亚斌 , 李超波 , 夏 洋 , 李 楠 (1. 中国科学院微电子研究所, 微电子器件与集成技术重点实验室, 北京100029; 2. 中国科学院大学, 北京 100190 ) 摘 要: 原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术, 可以一层一层地生长薄膜。 该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点, 逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的 薄膜生长技术。作为ALD 技术中一个关键的指标——生长速率, 不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要 作用, 更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来 ALD 生长机制和生长速率方面的研究结果, 以及 ALD 技术生长速率的影响因素, 并分析探讨了提高和改善ALD 生长速率的方法以及研究趋势。 关 键 词: 原子层沉积; 生长速率; 生长机制; 位阻效应 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Research Progress on Growth Rate Controlling of Atomic Layer Deposition 1 1,2 1 1 1 LU Wei-Er , DONG Ya-Bin , LI Chao-Bo , XIA Yang , LI Nan (1. Key Laboratory of Microelectronics Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science, Beijing 100029, China; 2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) Abstract: Based on the self-limiting nature of sequential surface chemical reaction, atomic layer deposition (ALD) technique could grow films layer by layer. ALD has advantages of low growth temperature, precise thickness con- trollability, good conformity and uniformity. Therefore, it becomes a primary method fo