TFTLCD残像原理和分析加强篇一.docVIP

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TFTLCD残像原理和分析加强篇一

TFTLCD残像原理和分析加强篇一   摘 要:残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇一从设计面的Feed through DC成分、非对称像素结构、TFT相关的特别是Leak系导致的残像,具体分析了其原因和改善方法。   关键词: 液晶显示器;残像;非对称像素结构   中图分类号:TN141.9,TN873+.93 文献标识码:A      The Theory and Analysis of TFT-LCD Image Sticking-Upgrade I      JIAO Feng, WANG Hai-hong   (RD Center, Nanjing CEC PANDA LCD Technology Co., Ltd., Nanjing Jiangsu 210033, China)      Abstract: Image Sticking is a display behavior of TFT-LCD. Mainly expressed when a static image remains displayed on the same screen for a long time, the original image will be left when the screen switches to the next image. The upgrade part I of the paper specially analyze mechanism and improvement solution of image sticking from design process include feed through DC composition, asymmetric pixel structure and TFT-related, particularly leakage current.   Keywords: TFT-LCD; image sticking asymmetric pixel structure      引 言       近年来液晶显示器以其低工作电压、低功耗、低辐射、低空间占有率以及轻薄美观等优势,不断普及,已成为市场的主流。随着人们的认识水平和对显示要求的不断提高,对于显示性能也提出了越来越高的要求,如高亮度、高对比度、高响应速度等,而且对于整个显示器的画质,如姆拉、残像的要求也越来越苛刻。而残像问题一直影响TFT-LCD的画面品质,尤其是长期画面品质的重要问题之一[1-3]。本文的加强篇一将从设计面的Feed through DC成分、非对称像素结构、TFT相关的特别是Leak系导致的残像具体分析其原因和改善方法。      1 设计面要因和对策分析      1.1 Feed through DC成分分析和对策    一般认为长期残像发生的主要原因是DC电压成分导致的固定电荷造成的,Feed through电压中含有Offset DC成分[4]。如图1所示,是液晶像素单元的等效电路图和驱动电压时序图,Vg是扫描线Gate电压,Vs是数据线Source电压,Vlc是液晶电压,Cgs是Gate和Drain间电容,Cst是存储电容,Clc是液晶电容。    理论上,液晶像素的写入期间的电荷数等于保持期间的电荷数,即Cgs(Vlc-Vgon)+Cst(Vlc-Vgon)+Clc(Vlc-Vcom)=Cgs(Vlc-Vgoff)+Cst(Vlc-Vgoff)+Clc(Vlc-Vcom)。这里令ΔVlc=Vlc-Vlc、ΔVg=Vgon-Vgoff,则整理上式得到Feedthrough电压    Feed through电压ΔVlc的大小差异主要和源漏间电容Cgs、存储电容Cst、液晶电容Clc及栅极扫描线电压差(Vgon-Vgoff)有关。灰阶不一样,液晶的介电常数不一样,所以液晶电容Clc也不一样。而且沿着栅极扫描线,由于左右存在配线延迟,电压差(Vgon-Vgoff)的大小也不一样。而这里存在的Feed through电压,都会在液晶面板内形成直流电压成分,从而导致残像。    要减小这种Feed through电压,可以三方面入手:    (1) 对像素设计进行优化,可以从以下参数进行:Gate配线宽/膜厚、晶体管的W、存储电容面积、Vgon电压。    (2) 进行阶调补正或COM调制技术,用以消除液晶盒内实际施加的残留DC成分。如图2所示,是黑白阶调间的ΔVlc差示意图。可以通过方法一:预估ΔVlc,将Vcom进行适当

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