第六章1mosfet06.pptx

各种各样的场效应晶体管MOSFETS/D与沟道区为同种类型的半导体栅为MS接触常开器件，加栅压使关断存在IgS/D与沟道区为不同种类型的半导体栅为MOS接触由栅压感应形成沟道Ig很小四端器件各种各样的场效应晶体管S/D与沟道区为同种类型的半导体常开器件，加栅压使关断沟道由异质结中的2DEG形成S/D与沟道区为同种类型的半导体常开器件，加栅压使关断第一节 长沟MOSFET一、MOSFET的结构、能带二、阈值电压三、 I－V特性的模型pao－sah 方程缓变沟道近似其他源漏电流模型四、亚阈特性五、衬偏效应六、沟道尺度调制效应长沟MOSFET的特点沟道长度 L 源空间电荷区＋漏空间电荷区可以将长沟器件处理为一维问题可以忽略沟道四周的边缘效应MOSFET的能带参考点：VBS不为0时，VB相当于增加了反偏电压VR＝VB平带VFB－VG相对于VB的反型VT－VG相对于源端VS的Vbi＋VBS＋VDSVbi＋VBSIDSVG－Vt饱和亚阈线性VtMOSFET的工作过程及I－V特性VG二、阈值电压MOS中经典强反型条件：反型VT－VG相对于源端VS的MOSFET中的VT必须考虑Vsb的影响MOSFET的阈值电压计入VSB均匀掺杂反型VT－VG相对于源端VS的体效应参数V1/2另外一种定义两部分电容 Cox和Cdep对反型电荷的贡献定义Qinv＝0时的Vgs为 Vt（sb）体因子均匀掺杂：掺杂浓度对阈值电压的影响非均匀掺杂时的阈值电压沟道中杂质分布的几种情况a、均匀分布b、delta分布 DIWdmaxc、retrograde分布 见习题caNIcm-2bNAoDINi/Xi影响Vt的因素阈值电压的确定饱和区：在饱和区测ID-VG ，画sqrt(ID) － VG－外推 VT存在的问题？线性区：在线性区测ID-VG ，画ID－ VG－外推 VT存在的问题？阈值电压的确定固定电压法：Ids＝10－7W/L (A)存在的问题？跨导增量法：低漏压时，跨导微分dgm/dVgs的最大点所对应的栅压。存在的问题？三、I－V特性目的： IDS－VG、VS、VD、VB之间的关系沟道中任一点的电流：yx假设正常工作区 nMOS时 空穴电流Jp可以忽略 Jn只沿y向流动 Gn＝Rn＝0，任一点的总电流连续迁移率为常数 沟道中任一点的电流：缓变沟道近似：1D MOSFET模型的关键，只适合于长沟器件假设： 电场沿y方向的变化沿x方向的变化1D 泊松方程2D 泊松方程结果：MOS电容中得到的Qs与表面势的关系仍适用，只是需要考虑随y的变化成立条件：沟道内的绝大部分，除漏附近和夹断区Pao－Sah 方程同时有漂移，扩散项爱因斯坦关系双重积分，js的隐含方程，只有数值解。同时有漂移，扩散项，适合所有工作区有效。沿x方向求解关于MOS结构的泊松方程薄层电荷模型 charge sheet model假设反型层电荷厚度为0，其上没有压降代入Ids的积分没有了双重积分，源漏处的js仍需要迭代求解，无解析解。同时有漂移，扩散项，适合所有工作区有效，计入了体效应（Vsb的影响）。体电荷模型 bulk charge model SPICE Level＝2忽略扩散电流，假设反型后表面势钳位在2jB－只适合于强反型！ 线性区代入Ids，积分饱和区VtSah 方程， Square law model忽略沟道中耗尽层厚度的变化代入Ids，积分VDSVG-VT线性区饱和区VDSVG-VT包含体效应的 Sah 方程代入Ids，积分亚阈特性VgsVt, 弱反型，扩散电流，分区模型中忽略漂移项弱反型亚阈斜率 Subthreshold swingIds改变一个数量级所需要的栅压沟长调制效应 CLM饱和后，夹断区长度DL随VDS继续增加，使有效沟长Leff＝L－DL减小， Ids随VDS继续增加GIDL效应Gate-Induced Drain Leakage (GIDL)反偏pn结现象Vg＝0，Vds＝Vdd时，Ids的反常增加。泄漏电流。GIDL效应Gate-Induced Drain Leakage (GIDL)栅漏交叠漏端存在强场原因带间隧穿Band－to－band tunneling可能存在陷阱辅助的隧穿EchannelEverticalMOSFET中的迁移率场效应迁移率，有效迁移率Effective mobility，与半导体材料的迁移率（体迁移率）有区别原因：载流子与界面散射，受界面电荷、界面粗糙的影响，纵向电场一定强时，载流子的输运主要受界面散射的影响.库仑散射：界面电荷、电离杂质表面粗糙散射界面的影响载流子的屏蔽作用使迁移率随Qinv（Vg）增加而增加。栅压引起有效迁移率的退化。Vg大后，纵向电场Evertical增加，使载流子更加频繁地与表面接触（散射），迁移率降低。普适