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CMOS掉电检测及保护电路的设计 　　摘要:本文设计了一款电源电压检测保护电路,该电路由电阻分压电路、带隙基准电路、高精度比较器和输出缓冲电路组成。详细说明了各部分的电路及版图设计,并给出Spectre仿真结果。该电路采用SMIC 0.18μm混合信号工艺实现。电路结构简单,易于实现,可集成在单片机内部,提高单片机的可靠性。 　　关键词:CMOS;带隙基准;掉电检测保护 　　 　　Abstract: A low-power protect circuit is presented. The circuit is composed of resistive division, bandgap, comparator and output buffer. The paper has provided the design of circuit and layout. The simulation results prove the circuit can work well. The low-power protect circuit is implemented in SMIC 0.18?m Mixed-signal technology. The whole structure is simple and the circuit is easy to implement. It can be integrated in singlechip. 　　Key Words: CMOS ,bandgap, low-power protect circuit 　　 　　1引言 　　 　　 在单片机系统中,时常会遇到系统电源电压瞬时欠压和意外掉电的情况,前者可能会导致单片机程序“跑飞”,而令系统无法正常工作,后者将丢失重要数据而不能恢复。监视定时器侦测到异常状态就会使单片机自动复位,让程序重新回到正确流程。但是在某些场合,当电源电压本身的原因,致使电源电压下降,当下降到一定程度时,会使驱动能力下降,从而导致数据混乱甚至数据丢失无法恢复。为了尽量避免这些情况的出现,需要加上掉电检测和保护电路,以提高系统的可靠性和安全性。掉电检测和保护电路对电源电压进行监控,一旦电源电压下降某一下限阈值时,掉电保护电路输出复位信号,使单片机处于复位状态,待电源电压恢复正常值时,单片机恢复正常工作。本文设计一种简单,容易实现的电源电压监测和保护电路,该电路工作可靠,可集成在单片机及微处理器系统内,减少系统的外围器件,降低成本。同时,该电路结构还可以作为高压或功率集成电路等的电源保护电路。 　　 　　2掉电检测和保护电路设计 　　 　　 电路结构如图1所示,取样电阻R1、R2对电源电压分压后输入至比较器一端,比较器另一端接1.2 V参考电压。当电源电压经分压后低于1.2 V,则比较器输出低电平复位信号,使单片机处于复位状态。当电源电压恢复时,输出高电平信号,单片机恢复正常工作。输出缓冲驱动电路对比较器输出的信号进行整形,增加输出信号的驱动能力。 　　 　　2.1 参考电压源 　　 检测保护电路中,需要检测的是电源电压,故参考电压源的输出需与电源电压无关,同时考虑到工作环境的影响,参考源的输出还应该与温度无关。在CMOS电路中利用带隙基准源实现这样的基准电压是我们常用的方法[1]。本文采用的带隙基准源电路如图2所示,由运算放大器、带隙基准核心电路及启动电路三部分构成。其中Q1~Q3双极晶体管,在CMOS工艺可由寄生的管子得到,将N阱中的P+区作为发射区,N阱本身作为基区,P型衬底作为集电区,则可以构成一个PNP管。其中衬底形成的集电区必然连接到最低电位,以确保衬底和MOS源漏构成的二极管反偏。晶体管Q2发射结的面积是Q1发射结面积的N倍,电阻R2的阻值是R1的K倍。 运算放大器具有很高的增益使得节点A和节点B的电位相等,又由于PM5、PM6、PM7尺寸相同,故迫使流过三极管Q1、Q2、Q3电流相等,则可得到输出的参考电压:是一个正温度系数的电压,在室温下温度系数为0.087 mV/℃,VBE是一个负温度系数的电压,室温下温度系数为-1.5 mV/℃。[1]所以选取合适N值和电阻比例K就可以在输出端得到零温度系数的电压。在本设计中取N = 24,K = 5.18,经过仿真可以得到该电路在输出为1.2 V时,温度系数最小,温度在0-80℃变化时,输出电压变化为5 mV,完全可以满足检测电路的需求。考虑匹配性,R1和R2电阻要选取相同材料的电阻,CMOS工艺中POLY电阻是控制比好的电阻,故选择POLY电阻。同时Q1、Q2、Q3也要求较好的匹配性,可以从版图设计上来考虑,这在本文第3节中有详细说明。PM5~PM7的设计尺寸如图2中所标出