微电子工艺基础氧化工艺.pptxVIP

第5章 氧化工艺本章（4学时）目标：1、掌握硅器件中二氧化硅层的用途2、熟悉热氧化的机制3、熟悉干氧化、湿氧化和水汽氧化的特点4、掺氯氧化的作用5、氧化膜质量的检测方法第5章 氧化工艺一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****）二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***）三、氧化膜检验方法第5章 氧化工艺 一、旧事重提1、氧化工艺的定义在硅或其它衬底上生长一层二氧化硅膜。第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（1） 概述A 微电子工艺中采用的二氧化硅薄膜是非晶态， 是四面体网状结构。B 长程无序但短程有序。第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（2） 几个概念① 桥键氧原子位于四面体之间，为两个硅原子所共有的氧原子称桥键氧原子。② 非桥键氧原子只与一个四面体（硅原子）相连的氧原子称非桥键氧原子。它还能接受一个电子以维持八电子稳定结构。桥键氧越少，非桥键氧越多，二氧化硅网络就越疏松。通常的二氧化硅膜的密度约为2.20g/cm3第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（2） 几个概念③ 网络调节剂第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（2） 几个概念④ 网络形成剂第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（2） 几个概念第5章 氧化工艺 一、旧事重提2、二氧化硅的结构（2） 几个概念⑤ 本征二氧化硅无杂质的二氧化硅第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（1） 表面钝化A 保护器件的表面及内部——二氧化硅密度非常高，非常硬，保护器件免于沾污、损伤和化学腐蚀。B 禁锢污染物——落在晶圆上的污染物（主要是移动的离 子污染物）在二氧化硅的生长过程中被禁锢在二氧化硅膜中，在那里对器件的伤害最小。（教材P105）第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（2） 掺杂阻挡层（作为杂质扩散的掩蔽膜）选择二氧化硅的理由：A 杂质在二氧化硅中的运行速度低于在硅中的运行速度（P105）B 二氧化硅的热膨胀系数与硅接近（P105）第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（2） 掺杂阻挡层（作为杂质扩散的掩蔽膜）A：D二氧化硅D硅二氧化硅起掩蔽作用的条件：B：二氧化硅膜有足够的厚度对于B、P、As等元素，D二氧化硅D硅，因此二氧化硅可以作为杂质扩散的掩蔽膜。第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（3） 绝缘介质SiO2介电性质良好：① IC器件的隔离和多层布线的电隔离（参见图7.5）第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（3） 绝缘介质② MOSFET的栅电极（参见图7.4）第5章 氧化工艺 一、旧事重提3、二氧化硅膜的用途（3） 绝缘介质③ MOS电容的绝缘介质（参见图7.5）第5章 氧化工艺 一、旧事重提4、二氧化硅膜的厚度参照教材图7.6，重点了解栅氧和场氧的厚度。栅氧厚度：150埃-500埃场氧厚度：3000埃-10000埃（不到一个微米）第5章 氧化工艺 一、旧事重提5、二氧化硅膜的获得方法参照教材P47图4.6所示，获取二氧化硅膜的方法有：A：热氧化工艺（本课程重点）B：化学气相淀积工艺C：溅射工艺D：阳极氧化工艺第5章 氧化工艺一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****）二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***）三、氧化膜检验方法第5章 氧化工艺 二、氧化膜的生长方法1、热氧化机制（1） 基本机理Si（固态）+ O2 （气态） ? SiO2 （固态）（1000 ℃）热氧化是在Si/SiO2界面进行，通过扩散与化学反应实现。O2或H2O在生成的二氧化硅内扩散，到达Si/SiO2界面后再与Si反应。（参阅图7.8）结果：硅被消耗而变薄，氧化层增厚。生长1μm厚SiO2约消耗0.45μm厚的硅dSi =0.45dSiO2第5章 氧化工艺 二、氧化膜的生长方法1、热氧化机制（2） 热氧化生长动力学（迪尔-格罗夫模型）NG气体内部氧化剂浓度NGSSiO2表面外侧氧化剂浓度NOSSiO2表面内侧氧化剂浓度NSSiO2/Si界面处氧化剂浓度toxSiO2薄膜的厚度第5章 氧化工艺 二、氧化膜的生长方法1、热氧化机制（2） 热氧化生长动力学（迪尔-格罗夫